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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysDMN66D0LDW-7
DMN66D0LDW-7 Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

DMN66D0LDW-7 - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
DMN66D0LDW-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-DMN66D0LDW-7
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Datenblatt
DMN66D0LDW.pdf
RoHS Status
vorrätig: 162740

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Anzahl

Spezifikation

DMN66D0LDW-7 Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - DMN66D0LDW-7 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - DMN66D0LDW-7

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-363  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6Ohm @ 115mA, 5V  
Leistung - max 250mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 23pF @ 25V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 115mA (Ta)  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer DMN66  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated DMN66D0LDW-7.

Produkteigenschaften DMN66D0LDW-7 DMN65D8LDW-7 DMN65D9L-7 DMN66D0LDW
Artikelnummer DMN66D0LDW-7 DMN65D8LDW-7 DMN65D9L-7 DMN66D0LDW
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V 60V 60 V -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 23pF @ 25V 22pF @ 25V 41 pF @ 25 V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6Ohm @ 115mA, 5V 6Ohm @ 115mA, 10V 4Ohm @ 500mA, 10V -
Leistung - max 250mW (Ta) 300mW - -
FET-Merkmal - Logic Level Gate - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 115mA (Ta) 180mA 335mA (Ta) -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Supplier Device-Gehäuse SOT-363 SOT-363 SOT-23-3 -
Serie Automotive, AEC-Q101 - - -
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - 0.87nC @ 10V 0.4 nC @ 4.5 V -
Grundproduktnummer DMN66 DMN65 DMN65 -
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2.5V @ 250µA -

DMN66D0LDW-7 Datenblatt PDF

Laden Sie DMN66D0LDW-7 PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für DMN66D0LDW-7 - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN Andere
Multiple Device Changes 29/Apr/2013.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Bond Wire 11/Nov/2011.pdf Bond Wire 23/May/2008.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly REV 07/Sep/2021.pdf
Datenblätter
DMN66D0LDW.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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