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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelDMNH6008SCT
DMNH6008SCT Image
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DMNH6008SCT - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
DMNH6008SCT
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-DMNH6008SCT
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 130A TO220AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
DMNH6008SCT.pdf
RoHS Status
vorrätig: 33860

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Anzahl

Spezifikation

DMNH6008SCT Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - DMNH6008SCT Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - DMNH6008SCT

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) 20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 20A, 10V  
Verlustleistung (max) 210W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2596 pF @ 30 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 130A (Tc)  
Grundproduktnummer DMNH6008  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated DMNH6008SCT.

Produkteigenschaften DMNH6008SCT DMNH6008SPS-13 DMNH10H028SPS-13 DMNH6008SPSQ-13
Artikelnummer DMNH6008SCT DMNH6008SPS-13 DMNH10H028SPS-13 DMNH6008SPSQ-13
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21 nC @ 10 V 40.1 nC @ 10 V 36 nC @ 10 V 40.1 nC @ 10 V
Grundproduktnummer DMNH6008 DMNH6008 DMNH10 DMNH6008
Verlustleistung (max) 210W (Tc) 3.3W (Ta) 1.6W (Ta) 1.6W (Ta)
Serie Automotive, AEC-Q101 - - Automotive, AEC-Q101
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 60 V 100 V 60 V
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 20A, 10V 8mOhm @ 20A, 10V 28mOhm @ 20A, 10V 8mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 PowerDI5060-8 PowerDI5060-8 PowerDI5060-8
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2596 pF @ 30 V 2597 pF @ 30 V 2245 pF @ 50 V 2597 pF @ 30 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 130A (Tc) 16.5A (Ta), 88A (Tc) 40A (Tc) 16.5A (Ta), 88A (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) 20V ±20V ±20V ±20V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)

DMNH6008SCT Datenblatt PDF

Laden Sie DMNH6008SCT PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für DMNH6008SCT - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Site Chg 6/Aug/2020.pdf
Datenblätter
DMNH6008SCT.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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