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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelDMP1012UFDF-7
Diodes Incorporated
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

DMP1012UFDF-7 - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
DMP1012UFDF-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-DMP1012UFDF-7
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 12V 12.6A/20A 6UDFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-UDFN Exposed Pad
Datenblatt
DMP1012UFDF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 359940

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Anzahl

Spezifikation

DMP1012UFDF-7 Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - DMP1012UFDF-7 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - DMP1012UFDF-7

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse U-DFN2020-6 (Type F)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 5A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 720mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 6-UDFN Exposed Pad  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1344 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 8 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 12 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12.6A (Ta), 20A (Tc)  
Grundproduktnummer DMP1012  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated DMP1012UFDF-7.

Produkteigenschaften DMP1012UFDF-7 DMP1022UFDF-7 DMP1011UCB9-7 DMP1011LFV-13
Artikelnummer DMP1012UFDF-7 DMP1022UFDF-7 DMP1011UCB9-7 DMP1011LFV-13
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Drain-Source-Spannung (Vdss) 12 V 12 V 8 V 12 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse 6-UDFN Exposed Pad 6-UDFN Exposed Pad 9-UFBGA, WLBGA 8-PowerVDFN
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1344 pF @ 10 V 2712 pF @ 10 V 1060 pF @ 4 V 913 pF @ 6 V
Supplier Device-Gehäuse U-DFN2020-6 (Type F) U-DFN2020-6 (Type F) U-WLB1515-9 PowerDI3333-8
Vgs (Max) ±8V ±8V -6V -6V
Serie - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 8 V 48.3 nC @ 8 V 10.5 nC @ 4.5 V 9.5 nC @ 6 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12.6A (Ta), 20A (Tc) 9.5A (Ta) 10A (Ta) 19A (Tc)
Verlustleistung (max) 720mW (Ta) 730mW (Ta) 890mW (Ta) 2.16W
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
VGS (th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA 800mV @ 250µA 1.1V @ 250µA 1.2V @ 250µA
FET-Merkmal - - - -
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V 1.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 5A, 4.5V 15.3mOhm @ 4A, 4.5V 10mOhm @ 2A, 4.5V 11.7mOhm @ 12A, 4.5V
Grundproduktnummer DMP1012 DMP1022 DMP1011 DMP1011

DMP1012UFDF-7 Datenblatt PDF

Laden Sie DMP1012UFDF-7 PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für DMP1012UFDF-7 - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Wafer Source 28/Oct/2022.pdf
Datenblätter
DMP1012UFDF.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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