DMP10H400SEQ-13 Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - DMP10H400SEQ-13 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - DMP10H400SEQ-13

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Hersteller	Diodes Incorporated
VGS (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	SOT-223-3
Serie	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	250mOhm @ 5A, 10V
Verlustleistung (max)	2W (Ta), 13.7W (Tc)
Verpackung / Gehäuse	TO-261-4, TO-261AA
Paket	Tape & Reel (TR)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1239 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17.5 nC @ 10 V
Typ FET	P-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	2.3A (Ta), 6A (Tc)
Grundproduktnummer	DMP10

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated DMP10H400SEQ-13.

Produkteigenschaften
Artikelnummer	DMP10H400SEQ-13	DMP10H400SK3-13	DMP1100UCB4-7	DMP1245UFCL-7
Hersteller	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
FET-Merkmal	-	-	-	-
Supplier Device-Gehäuse	SOT-223-3	TO-252-3	X2-WLB0808-4	X1-DFN1616-6 (Type E)
Verlustleistung (max)	2W (Ta), 13.7W (Tc)	42W (Tc)	670mW (Ta)	613mW (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V	100 V	12 V	12 V
Paket	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Typ FET	P-Channel	P-Channel	P-Channel	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17.5 nC @ 10 V	17.5 nC @ 10 V	14 nC @ 4.5 V	26.1 nC @ 8 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	250mOhm @ 5A, 10V	240mOhm @ 5A, 10V	83mOhm @ 3A, 4.5V	29mOhm @ 4A, 4.5V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Grundproduktnummer	DMP10	DMP10	DMP1100	DMP1245
Verpackung / Gehäuse	TO-261-4, TO-261AA	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	4-XFBGA, WLBGA	6-PowerUFDFN
VGS (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA	3V @ 250µA	800mV @ 250µA	950mV @ 250µA
Vgs (Max)	±20V	±20V	±8V	±8V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	4.5V, 10V	1.3V, 4.5V	1.5V, 4.5V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1239 pF @ 25 V	1239 pF @ 25 V	820 pF @ 6 V	1357.4 pF @ 10 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	2.3A (Ta), 6A (Tc)	9A (Tc)	2.5A (Ta)	6.6A (Ta)
Serie	-	-	Automotive, AEC-Q101	-

DMP10H400SEQ-13 Datenblatt PDF

Laden Sie DMP10H400SEQ-13 PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für DMP10H400SEQ-13 - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen: Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Datenblätter: DMP10H400SEQ.pdf

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2.00kg-3.00kg	USD$50.00 - USD$100.00

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