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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelDMP2006UFG-13
Diodes Incorporated
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

DMP2006UFG-13 - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
DMP2006UFG-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-DMP2006UFG-13
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 17.5A POWERDI
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerVDFN
Datenblatt
DMP2006UFG-13.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5090

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Anzahl

Spezifikation

DMP2006UFG-13 Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - DMP2006UFG-13 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - DMP2006UFG-13

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PowerDI3333-8  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5mOhm @ 15A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 2.3W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7500 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 200 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 17.5A (Ta), 40A (Tc)  
Grundproduktnummer DMP2006  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated DMP2006UFG-13.

Produkteigenschaften DMP2006UFG-13 DMP2005UFG-7 DMP2004TK-7 DMP2008UFG-13
Artikelnummer DMP2006UFG-13 DMP2005UFG-7 DMP2004TK-7 DMP2008UFG-13
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Vgs (Max) ±10V ±10V ±8V ±8V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 17.5A (Ta), 40A (Tc) 89A (Tc) 430mA (Ta) 14A (Ta), 54A (Tc)
Serie - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V
Grundproduktnummer DMP2006 DMP2005 DMP2004 DMP2008
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V 1.5V, 4.5V
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 900mV @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 200 nC @ 10 V 125 nC @ 10 V - 72 nC @ 4.5 V
Verlustleistung (max) 2.3W (Ta) 2.2W (Ta) 150mW (Ta) 2.4W (Ta), 41W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5mOhm @ 15A, 4.5V 4mOhm @ 15A, 4.5V 1.1Ohm @ 430mA, 4.5V 8mOhm @ 12A, 4.5V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN SOT-523 8-PowerVDFN
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7500 pF @ 10 V 4670 pF @ 10 V 175 pF @ 16 V 6909 pF @ 10 V
Supplier Device-Gehäuse PowerDI3333-8 PowerDI3333-8 SOT-523 PowerDI3333-8
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

DMP2006UFG-13 Datenblatt PDF

Laden Sie DMP2006UFG-13 PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für DMP2006UFG-13 - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 2/Sep/2021.pdf

Lieferung

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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