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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysDMP2035UTS-13
DMP2035UTS-13 Image
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DMP2035UTS-13 - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
DMP2035UTS-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-DMP2035UTS-13
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2P-CH 20V 6.04A 8TSSOP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Datenblatt
DMP2035UTS.pdf
RoHS Status
vorrätig: 177980

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Anzahl

Spezifikation

DMP2035UTS-13 Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - DMP2035UTS-13 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - DMP2035UTS-13

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-TSSOP  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 4A, 4.5V  
Leistung - max 890mW  
Verpackung / Gehäuse 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1610pF @ 10V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15.4nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.04A  
Konfiguration 2 P-Channel (Dual) Common Drain  
Grundproduktnummer DMP2035  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated DMP2035UTS-13.

Produkteigenschaften DMP2035UTS-13 DMP2023UFDF-7 DMP2035UQ-7 DMP2040UVT-7
Artikelnummer DMP2035UTS-13 DMP2023UFDF-7 DMP2035UQ-7 DMP2040UVT-7
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Leistung - max 890mW - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.04A 7.6A (Ta) 4.9A (Ta) 5.5A (Ta), 13A (Tc)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Verpackung / Gehäuse 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 6-UDFN Exposed Pad TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V 20 V 20 V 20 V
Serie - - Automotive, AEC-Q101 -
Konfiguration 2 P-Channel (Dual) Common Drain - - -
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15.4nC @ 4.5V 27 nC @ 4.5 V 15.4 nC @ 4.5 V 8.6 nC @ 4.5 V
Supplier Device-Gehäuse 8-TSSOP U-DFN2020-6 (Type F) SOT-23-3 -
FET-Merkmal Logic Level Gate - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 4A, 4.5V 27mOhm @ 7A, 4.5V 35mOhm @ 4A, 4.5V 38mOhm @ 8.9A, 4.5V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1610pF @ 10V 1837 pF @ 15 V 1610 pF @ 10 V 834 pF @ 10 V
Grundproduktnummer DMP2035 DMP2023 DMP2035 DMP2040
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

DMP2035UTS-13 Datenblatt PDF

Laden Sie DMP2035UTS-13 PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für DMP2035UTS-13 - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Bond Wire 11/Nov/2011.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Wafer Fab Add 8/Aug/2012.pdf
Datenblätter
DMP2035UTS.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Diodes Incorporated
32D-DMP2035UTS-13

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