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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelDMP2066LDMQ-7
DMP2066LDMQ-7 Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

DMP2066LDMQ-7 - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
DMP2066LDMQ-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-DMP2066LDMQ-7
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 4.6A SOT-26
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-23-6
Datenblatt
DMP2066LDM.pdf
RoHS Status
vorrätig: 243400

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Anzahl

Spezifikation

DMP2066LDMQ-7 Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - DMP2066LDMQ-7 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - DMP2066LDMQ-7

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-26  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 4.6A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 1.25W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 820 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.1 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.6A (Ta)  
Grundproduktnummer DMP2066  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated DMP2066LDMQ-7.

Produkteigenschaften DMP2066LDMQ-7 DMP2045UFY4-7 DMP2045U-7 DMP2047UCB4-7
Artikelnummer DMP2066LDMQ-7 DMP2045UFY4-7 DMP2045U-7 DMP2047UCB4-7
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Serie - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 4.6A, 4.5V 45mOhm @ 4A, 4.5V 45mOhm @ 4A, 4.5V 47mOhm @ 1A, 4.5V
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1.2V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse SOT-26 X2-DFN2015-3 SOT-23-3 U-WLB1010-4
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 820 pF @ 15 V 634 pF @ 10 V 634 pF @ 10 V 218 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.1 nC @ 4.5 V 6.8 nC @ 4.5 V 6.8 nC @ 4.5 V 2.3 nC @ 4.5 V
Grundproduktnummer DMP2066 DMP2045 DMP2045 DMP2047
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 1.5V, 4.5V 1.8V, 4.5V 2.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6 3-XDFN TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 4-UFBGA, WLBGA
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Verlustleistung (max) 1.25W (Ta) 670mW (Ta) 800mW (Ta) 1W (Ta)
Vgs (Max) ±12V ±8V ±8V -6V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.6A (Ta) 4.7A (Ta) 4.3A (Ta) 4.1A (Ta)
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

DMP2066LDMQ-7 Datenblatt PDF

Laden Sie DMP2066LDMQ-7 PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für DMP2066LDMQ-7 - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Leadframe Material Update 09/Apr/2014.pdf Bond Wire 11/Nov/2011.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly/Test Site Addition 01/Jun/2015.pdf
Datenblätter
DMP2066LDM.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
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Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Diodes Incorporated
32D-DMP2066LDMQ-7

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