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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelDMP21D0UFD-7
Diodes Incorporated
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

DMP21D0UFD-7 - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
DMP21D0UFD-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-DMP21D0UFD-7
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 820MA 3DFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
3-UDFN
Datenblatt
DMP21D0UFD.pdf
RoHS Status
vorrätig: 380490

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Spezifikation

DMP21D0UFD-7 Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - DMP21D0UFD-7 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - DMP21D0UFD-7

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse X1-DFN1212-3  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 495mOhm @ 800mA, 4.5V  
Verlustleistung (max) 490mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 3-UDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 80 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 820mA (Ta)  
Grundproduktnummer DMP21  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated DMP21D0UFD-7.

Produkteigenschaften DMP21D0UFD-7 DMP21D0UFB4-7B DMP21D5UFB4-7B DMP2170U-7
Artikelnummer DMP21D0UFD-7 DMP21D0UFB4-7B DMP21D5UFB4-7B DMP2170U-7
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Rds On (Max) @ Id, Vgs 495mOhm @ 800mA, 4.5V 495mOhm @ 400mA, 4.5V 970mOhm @ 100mA, 5V 90mOhm @ 3.5A, 4.5V
Verlustleistung (max) 490mW (Ta) 430mW (Ta) 460mW (Ta) 780mW (Ta)
Grundproduktnummer DMP21 DMP21 DMP21 DMP2170
Verpackung / Gehäuse 3-UDFN 3-XFDFN 3-XFDFN TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3 nC @ 4.5 V 1.54 nC @ 8 V 0.5 nC @ 4.5 V 7.8 nC @ 10 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 80 pF @ 10 V 80 pF @ 10 V 46.1 pF @ 10 V 303 pF @ 10 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie - - - Automotive, AEC-Q101
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V 1.8V, 4.5V 1.2V, 5V 2.5V, 4.5V
FET-Merkmal - - - -
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Vgs (Max) ±8V ±8V ±8V ±12V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 820mA (Ta) 770mA (Ta) 700mA (Ta) 3.1A (Ta)
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1.25V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse X1-DFN1212-3 X2-DFN1006-3 X2-DFN1006-3 SOT-23-3
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

DMP21D0UFD-7 Datenblatt PDF

Laden Sie DMP21D0UFD-7 PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für DMP21D0UFD-7 - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev A/T Site 7/Apr/2021.pdf
Datenblätter
DMP21D0UFD.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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