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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelDMP3010LPSQ-13
Diodes Incorporated
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

DMP3010LPSQ-13 - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
DMP3010LPSQ-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-DMP3010LPSQ-13
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 36A PWRDI5060-8
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
DMP3010LPSQ.pdf
RoHS Status
vorrätig: 95910

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Anzahl

Spezifikation

DMP3010LPSQ-13 Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - DMP3010LPSQ-13 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - DMP3010LPSQ-13

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PowerDI5060-8  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 10A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.18W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6234 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 126.2 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 36A (Ta)  
Grundproduktnummer DMP3010  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated DMP3010LPSQ-13.

Produkteigenschaften DMP3010LPSQ-13 DMP3013SFV-7 DMP3008SFGQ-7 DMP3008SFG-13
Artikelnummer DMP3010LPSQ-13 DMP3013SFV-7 DMP3008SFGQ-7 DMP3008SFG-13
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Vgs (Max) ±20V ±25V ±20V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 10A, 10V 9.5mOhm @ 11.5A, 10V 17mOhm @ 10A, 10V 17mOhm @ 10A, 10V
Verlustleistung (max) 2.18W (Ta) 940mW (Ta) 900mW (Ta) 900mW (Ta)
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Supplier Device-Gehäuse PowerDI5060-8 PowerDI3333-8 (Type UX) PowerDI3333-8 PowerDI3333-8
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6234 pF @ 15 V 1674 pF @ 15 V 2230 pF @ 15 V 2230 pF @ 15 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 126.2 nC @ 10 V 33.7 nC @ 10 V 47 nC @ 10 V 47 nC @ 10 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 36A (Ta) 12A (Ta), 35A (Tc) 8.6A (Ta) 8.6A (Ta)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Grundproduktnummer DMP3010 DMP3013 DMP3008 DMP3008
Serie - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA 3V @ 250µA 2.1V @ 250µA 2.1V @ 250µA

DMP3010LPSQ-13 Datenblatt PDF

Laden Sie DMP3010LPSQ-13 PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für DMP3010LPSQ-13 - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev 04/Dec/2020.pdf
Datenblätter
DMP3010LPSQ.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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