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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelDMP3025LK3-13-01
DMP3025LK3-13-01 Image
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DMP3025LK3-13-01 - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
DMP3025LK3-13-01
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-DMP3025LK3-13-01
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 10.6A TO252
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
DMP3025LK3.pdf
vorrätig: 5420

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Spezifikation

DMP3025LK3-13-01 Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - DMP3025LK3-13-01 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - DMP3025LK3-13-01

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-252-3  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 7.1A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.15W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1678 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31.6 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 16.1A (Ta)  
Grundproduktnummer DMP3025  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated DMP3025LK3-13-01.

Produkteigenschaften DMP3025LK3-13-01 DMP3018SSS-13 DMP3020LSS-13 DMP3018SFVQ-7
Artikelnummer DMP3025LK3-13-01 DMP3018SSS-13 DMP3020LSS-13 DMP3018SFVQ-7
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 2V @ 250µA 3V @ 250µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 16.1A (Ta) 10.5A (Ta), 25A (Tc) 12A (Ta) 11A (Ta), 35A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Vgs (Max) ±20V ±25V ±25V ±25V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31.6 nC @ 10 V 57 nC @ 10 V 30.7 nC @ 10 V 51 nC @ 10 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-PowerVDFN
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
FET-Merkmal - - - -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 7.1A, 10V 12mOhm @ 11.5A, 10V 14mOhm @ 8A, 10V 12mOhm @ 11.5A, 10V
Grundproduktnummer DMP3025 DMP3018 DMP3020 DMP3018
Verlustleistung (max) 2.15W (Ta) 1.2W (Ta) 2.5W (Ta) 1W (Ta)
Serie - - - Automotive, AEC-Q101
Supplier Device-Gehäuse TO-252-3 8-SO 8-SO PowerDI3333-8 (Type UX)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1678 pF @ 15 V 2714 pF @ 15 V 1802 pF @ 15 V 2147 pF @ 15 V

DMP3025LK3-13-01 Datenblatt PDF

Laden Sie DMP3025LK3-13-01 PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für DMP3025LK3-13-01 - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Datenblätter
DMP3025LK3.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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