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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelDMP4047SK3-13
DMP4047SK3-13 Image
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DMP4047SK3-13 - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
DMP4047SK3-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-DMP4047SK3-13
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 40V 20A TO252
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
DMP4047SK3.pdf
RoHS Status
vorrätig: 153950

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Anzahl

Spezifikation

DMP4047SK3-13 Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - DMP4047SK3-13 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - DMP4047SK3-13

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-252-3  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 4.4A, 10V  
Verlustleistung (max) 1.6W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1328 pF @ 20 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23.2 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A (Tc)  
Grundproduktnummer DMP4047  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated DMP4047SK3-13.

Produkteigenschaften DMP4047SK3-13 DMP4025LSS-13 DMP4047LFDE-7 DMP4025SFGQ-13
Artikelnummer DMP4047SK3-13 DMP4025LSS-13 DMP4047LFDE-7 DMP4025SFGQ-13
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Grundproduktnummer DMP4047 DMP4025 DMP4047 DMP4025
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Verlustleistung (max) 1.6W (Ta) 1.52W (Ta) 700mW (Ta) 810mW (Ta)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 6-PowerUDFN 8-PowerVDFN
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23.2 nC @ 10 V 33.7 nC @ 10 V 23.2 nC @ 10 V 33.7 nC @ 10 V
Serie - - - Automotive, AEC-Q101
Supplier Device-Gehäuse TO-252-3 8-SO U-DFN2020-6 (Type E) PowerDI3333-8
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 40 V 40 V 40 V
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1328 pF @ 20 V 1640 pF @ 20 V 1382 pF @ 20 V 1643 pF @ 20 V
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 1.8V @ 250µA 2.2V @ 250µA 1.8V @ 250µA
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A (Tc) 6A (Ta) 3.3A (Ta) 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 4.4A, 10V 25mOhm @ 3A, 10V 33mOhm @ 4.4A, 10V 25mOhm @ 3A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

DMP4047SK3-13 Datenblatt PDF

Laden Sie DMP4047SK3-13 PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für DMP4047SK3-13 - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021.pdf
Datenblätter
DMP4047SK3.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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