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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelDMP6185SE-7
Diodes Incorporated
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

DMP6185SE-7 - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
DMP6185SE-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-DMP6185SE-7
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 60V 3A SOT223
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-261-4, TO-261AA
Datenblatt
DMP6185SE.pdf
RoHS Status
RoHS-konform
vorrätig: 4990

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Spezifikation

DMP6185SE-7 Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - DMP6185SE-7 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - DMP6185SE-7

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-223-3  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 2.2A, 10V  
Verlustleistung (max) 1.2W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 708 pF @ 30 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3A (Ta)  
Grundproduktnummer DMP6185  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated DMP6185SE-7.

Produkteigenschaften DMP6185SE-7 DMP6110SVTQ-7 DMP6180SK3Q-13 DMP65H9D0HSS-13
Artikelnummer DMP6185SE-7 DMP6110SVTQ-7 DMP6180SK3Q-13 DMP65H9D0HSS-13
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 2.2A, 10V 105mOhm @ 4.5A, 10V 110mOhm @ 12A, 10V 9Ohm @ 300mA, 10V
Grundproduktnummer DMP6185 DMP6110 DMP6180 -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 708 pF @ 30 V 969 pF @ 30 V 984.7 pF @ 30 V 740 pF @ 25 V
Supplier Device-Gehäuse SOT-223-3 TSOT-23-6 TO-252, (D-Pak) 8-SO
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±30V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Verlustleistung (max) 1.2W (Ta) 1.8W (Ta) 1.7W (Ta) 1.25W (Ta)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3A (Ta) 7.3A (Ta) 14A (Tc) 300mA (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V 17.2 nC @ 10 V 17.1 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 2.7V @ 250µA 4V @ 250µA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 60 V 60 V 600 V
FET-Merkmal - - - -
Serie Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

DMP6185SE-7 Datenblatt PDF

Laden Sie DMP6185SE-7 PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für DMP6185SE-7 - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Datenblätter
DMP6185SE.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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