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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelDMPH4013SPSQ-13
Diodes Incorporated
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

DMPH4013SPSQ-13 - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
DMPH4013SPSQ-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-DMPH4013SPSQ-13
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
DMPH4013SPSQ-13.pdf
RoHS Status
vorrätig: 51670

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Anzahl

Spezifikation

DMPH4013SPSQ-13 Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - DMPH4013SPSQ-13 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - DMPH4013SPSQ-13

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PowerDI5060-8  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 10A, 10V  
Verlustleistung (max) 1.5W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4763 pF @ 20 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 87 nC @ 20 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 69A (Tc)  
Grundproduktnummer DMPH4013  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated DMPH4013SPSQ-13.

Produkteigenschaften DMPH4013SPSQ-13 DMPH4015SSSQ-13 DMPH4025SFVWQ-13 DMPH4029LFGQ-7
Artikelnummer DMPH4013SPSQ-13 DMPH4015SSSQ-13 DMPH4025SFVWQ-13 DMPH4029LFGQ-7
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Grundproduktnummer DMPH4013 DMPH4015 DMPH4025 DMPH4029
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 87 nC @ 20 V 91 nC @ 10 V 38.6 nC @ 10 V 34 nC @ 10 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 2.5V @ 250µA 1.8V @ 250µA 3V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse PowerDI5060-8 8-SO PowerDI3333-8 (SWP) Type UX PowerDI3333-8
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4763 pF @ 20 V 4234 pF @ 20 V 1918 pF @ 20 V 1626 pF @ 20 V
Serie Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101
Vgs (Max) ±20V ±25V ±20V ±20V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount, Wettable Flank Surface Mount
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 40 V 40 V 40 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 69A (Tc) 11.4A (Ta) 8.7A (Ta), 40A (Tc) 8A (Ta), 22A (Tc)
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 10A, 10V 11mOhm @ 9.8A, 10V 25mOhm @ 30A, 10V 29mOhm @ 3A, 10V
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 1.5W (Ta) 1.8W 2.3W (Ta), 60W (Tc) 1.2W (Ta)

DMPH4013SPSQ-13 Datenblatt PDF

Laden Sie DMPH4013SPSQ-13 PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für DMPH4013SPSQ-13 - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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