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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelDMPH6050SFG-7
Diodes Incorporated
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DMPH6050SFG-7 - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
DMPH6050SFG-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-DMPH6050SFG-7
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI333
detaillierte Beschreibung
Verpackung
Datenblatt
DMPH6050SFGQ.pdf
RoHS Status
vorrätig: 208710

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Anzahl

Spezifikation

DMPH6050SFG-7 Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - DMPH6050SFG-7 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - DMPH6050SFG-7

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 7A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.2W  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1293 pF @ 30 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24.1 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.1A (Ta), 18A (Tc)  
Grundproduktnummer DMPH6050  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated DMPH6050SFG-7.

Produkteigenschaften DMPH6050SFG-7 DMPH6050SFGQ-7 DMPH4025SFVWQ-13 DMPH6050SK3Q-13
Artikelnummer DMPH6050SFG-7 DMPH6050SFGQ-7 DMPH4025SFVWQ-13 DMPH6050SK3Q-13
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24.1 nC @ 10 V 24.1 nC @ 10 V 38.6 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 60 V 40 V 60 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 3.2W 1.2W (Ta) 2.3W (Ta), 60W (Tc) 1.9W (Ta)
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 1.8V @ 250µA 3V @ 250µA
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 7A, 10V 50mOhm @ 7A, 10V 25mOhm @ 30A, 10V 50mOhm @ 7A, 10V
Grundproduktnummer DMPH6050 DMPH6050 DMPH4025 DMPH6050
Serie - Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.1A (Ta), 18A (Tc) 6.1A (Ta), 18A (Tc) 8.7A (Ta), 40A (Tc) 7.2A (Ta), 23.6A (Tc)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount, Wettable Flank Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1293 pF @ 30 V 1293 pF @ 30 V 1918 pF @ 20 V 1377 pF @ 30 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V

DMPH6050SFG-7 Datenblatt PDF

Laden Sie DMPH6050SFG-7 PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für DMPH6050SFG-7 - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Datenblätter
DMPH6050SFGQ.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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