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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelDMS3016SFG-7
Diodes Incorporated
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

DMS3016SFG-7 - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
DMS3016SFG-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-DMS3016SFG-7
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 7A POWERDI3333-8
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerVDFN
Datenblatt
DMS3016SFG.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4750

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Anzahl

Spezifikation

DMS3016SFG-7 Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - DMS3016SFG-7 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - DMS3016SFG-7

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PowerDI3333-8  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 11.2A, 10V  
Verlustleistung (max) 980mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1886 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44.6 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal Schottky Diode (Body)  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7A (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated DMS3016SFG-7.

Produkteigenschaften DMS3016SFG-7 DMS3016SSS-13 DMS3012SFG-13 DMS3016SSSA-13
Artikelnummer DMS3016SFG-7 DMS3016SSS-13 DMS3012SFG-13 DMS3016SSSA-13
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-PowerVDFN 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7A (Ta) 9.8A (Ta) 12A (Ta) 9.8A (Ta)
Vgs (Max) ±12V ±12V ±20V ±12V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44.6 nC @ 10 V 43 nC @ 10 V 14.7 nC @ 10 V 43 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 11.2A, 10V 13mOhm @ 9.8A, 10V 10mOhm @ 13.5A, 10V 13mOhm @ 9.8A, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Serie - - - -
Verlustleistung (max) 980mW (Ta) 1.54W (Ta) 890mW (Ta) 1.54W (Ta)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1886 pF @ 15 V 1849 pF @ 15 V 4310 pF @ 15 V 1849 pF @ 15 V
FET-Merkmal Schottky Diode (Body) Schottky Diode (Body) Schottky Diode (Body) Schottky Diode (Body)
Supplier Device-Gehäuse PowerDI3333-8 8-SO PowerDI3333-8 8-SO
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA 2.3V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.3V @ 250µA

DMS3016SFG-7 Datenblatt PDF

Laden Sie DMS3016SFG-7 PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für DMS3016SFG-7 - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Devices EOL 05/Feb/2019.pdf
Datenblätter
DMS3016SFG.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Großbritannien 4
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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