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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysDMT3020LFDB-7
DMT3020LFDB-7 Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

DMT3020LFDB-7 - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
DMT3020LFDB-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-DMT3020LFDB-7
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CHA 30V 7.7A DFN2020
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-UDFN Exposed Pad
Datenblatt
DMT3020LFDB.pdf
RoHS Status
vorrätig: 201930

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Anzahl

Spezifikation

DMT3020LFDB-7 Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - DMT3020LFDB-7 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - DMT3020LFDB-7

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse U-DFN2020-6 (Type B)  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 9A, 10V  
Leistung - max 700mW  
Verpackung / Gehäuse 6-UDFN Exposed Pad  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 393pF @ 15V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 10V  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.7A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer DMT3020  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated DMT3020LFDB-7.

Produkteigenschaften DMT3020LFDB-7 DMT3009LDT-7 DMT3011LDT-7 DMT6004SCT
Artikelnummer DMT3020LFDB-7 DMT3009LDT-7 DMT3011LDT-7 DMT6004SCT
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 10V 20nC @ 15V 13.2nC @ 10V 95.4 nC @ 10 V
Verpackung / Gehäuse 6-UDFN Exposed Pad 8-VDFN Exposed Pad 8-VDFN Exposed Pad TO-220-3
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 155°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 4V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse U-DFN2020-6 (Type B) V-DFN3030-8 (Type K) V-DFN3030-8 (Type K) TO-220-3
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer DMT3020 DMT3009 DMT3011 DMT6004
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 9A, 10V 11.1mOhm @ 14.4A, 10V 20mOhm @ 6A, 10V 3.65mOhm @ 100A, 10V
Serie Automotive, AEC-Q101 - - -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.7A 30A 8A, 10.7A 100A (Tc)
Leistung - max 700mW 1.2W 1.9W -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 393pF @ 15V 1500pF @ 15V 641pF @ 15V 4556 pF @ 30 V
FET-Merkmal - - - -
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 30V 30V 60 V

DMT3020LFDB-7 Datenblatt PDF

Laden Sie DMT3020LFDB-7 PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für DMT3020LFDB-7 - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev 06/Dec/2019.pdf
Datenblätter
DMT3020LFDB.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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