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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelDMT6009LCT
DMT6009LCT Image
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DMT6009LCT - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
DMT6009LCT
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-DMT6009LCT
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 37.2A TO220AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
DMT6009LCT.pdf
RoHS Status
vorrätig: 114770

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Anzahl

Spezifikation

DMT6009LCT Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - DMT6009LCT Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - DMT6009LCT

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 13.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.2W (Ta), 25W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1925 pF @ 30 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33.5 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 37.2A (Tc)  
Grundproduktnummer DMT6009  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated DMT6009LCT.

Produkteigenschaften DMT6009LCT DMT6009LPS-13 DMT6010LFG-13 DMT6007LFG-7
Artikelnummer DMT6009LCT DMT6009LPS-13 DMT6010LFG-13 DMT6007LFG-7
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±16V ±16V ±20V ±20V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 60 V 60 V 60 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 13.5A, 10V 10mOhm @ 20A, 10V 7.5mOhm @ 20A, 10V 6mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 PowerDI5060-8 PowerDI3333-8 POWERDI3333-8
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 37.2A (Tc) 10.6A (Ta), 87A (Tc) 13A (Ta), 30A (Tc) 15A (Ta), 80A (Tc)
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verlustleistung (max) 2.2W (Ta), 25W (Tc) 2.3W (Ta) 2.2W (Ta), 41W (Tc) 2.2W (Ta), 62.5W (Tc)
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie - Automotive, AEC-Q101 - -
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 8-PowerTDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33.5 nC @ 10 V 33.5 nC @ 10 V 41.3 nC @ 10 V 41.3 nC @ 10 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1925 pF @ 30 V 1925 pF @ 30 V 2090 pF @ 30 V 2090 pF @ 30 V
Grundproduktnummer DMT6009 DMT6009 DMT6010 DMT6007
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V

DMT6009LCT Datenblatt PDF

Laden Sie DMT6009LCT PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für DMT6009LCT - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021.pdf
Datenblätter
DMT6009LCT.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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