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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelDMTH6009LK3Q-13
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DMTH6009LK3Q-13 - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
DMTH6009LK3Q-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-DMTH6009LK3Q-13
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 14.2A/59A TO252
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
DMTH6009LK3Q.pdf
RoHS Status
vorrätig: 61370

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Spezifikation

DMTH6009LK3Q-13 Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - DMTH6009LK3Q-13 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - DMTH6009LK3Q-13

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-252-3  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 13.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.2W (Ta), 60W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1925 pF @ 30 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33.5 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14.2A (Ta), 59A (Tc)  
Grundproduktnummer DMTH6009  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated DMTH6009LK3Q-13.

Produkteigenschaften DMTH6009LK3Q-13 DMTH6016LFDFWQ-7R DMTH6005LK3Q-13 DMTH6004SCTB-13
Artikelnummer DMTH6009LK3Q-13 DMTH6016LFDFWQ-7R DMTH6005LK3Q-13 DMTH6004SCTB-13
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
FET-Merkmal - - - -
Grundproduktnummer DMTH6009 DMTH6016 DMTH6005 DMTH6004
Verlustleistung (max) 3.2W (Ta), 60W (Tc) 1.06W (Ta) 2.1W (Ta), 100W (Tc) 4.7W (Ta), 136W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 6-UDFN Exposed Pad TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33.5 nC @ 10 V 15.3 nC @ 10 V 47.1 nC @ 10 V 95.4 nC @ 10 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 60 V 60 V 60 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1925 pF @ 30 V 925 pF @ 30 V 2962 pF @ 30 V 4556 pF @ 30 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 4V @ 250µA
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Supplier Device-Gehäuse TO-252-3 U-DFN2020-6 (SWP) (Type F) TO-252-3 TO-263
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 13.5A, 10V 18mOhm @ 10A, 10V 5.6mOhm @ 50A, 10V 3.4mOhm @ 100A, 10V
Serie - Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14.2A (Ta), 59A (Tc) 9.4A (Ta) 90A (Tc) 100A (Tc)

DMTH6009LK3Q-13 Datenblatt PDF

Laden Sie DMTH6009LK3Q-13 PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für DMTH6009LK3Q-13 - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Datenblätter
DMTH6009LK3Q.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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