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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelDN0150BLP4-7B
DN0150BLP4-7B Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

DN0150BLP4-7B - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
DN0150BLP4-7B
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-DN0150BLP4-7B
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS NPN 50V 0.1A 3DFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
3-XFDFN
Datenblatt
DN0150(A,B)LP4.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5150

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Anzahl

Spezifikation

DN0150BLP4-7B Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - DN0150BLP4-7B Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - DN0150BLP4-7B

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 100mA  
Transistor-Typ NPN  
Supplier Device-Gehäuse X2-DFN1006-3  
Serie -  
Leistung - max 450 mW  
Verpackung / Gehäuse 3-XFDFN  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 60MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 200 @ 2mA, 6V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA  
Grundproduktnummer DN0150  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated DN0150BLP4-7B.

Produkteigenschaften DN0150BLP4-7B FJP5027TU DN0150ALP4-7B DN0150ALP4-7
Artikelnummer DN0150BLP4-7B FJP5027TU DN0150ALP4-7B DN0150ALP4-7
Hersteller Diodes Incorporated onsemi Diodes Incorporated Diodes Incorporated
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 200 @ 2mA, 6V 10 @ 200mA, 5V 120 @ 2mA, 6V 120 @ 2mA, 6V
Leistung - max 450 mW 50 W 450 mW 450 mW
Grundproduktnummer DN0150 FJP5027 DN0150 DN0150
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
Supplier Device-Gehäuse X2-DFN1006-3 TO-220-3 X2-DFN1006-3 X2-DFN1006-3
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V 800 V 50 V 50 V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 100mA 2V @ 300mA, 1.5A 250mV @ 10mA, 100mA 250mV @ 10mA, 100mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 60MHz 15MHz 60MHz 60MHz
Transistor-Typ NPN NPN NPN NPN
Paket Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 3-XFDFN TO-220-3 3-XFDFN 3-XFDFN
Serie - - - -
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA 3 A 100 mA 100 mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO) 10µA (ICBO) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO)

DN0150BLP4-7B Datenblatt PDF

Laden Sie DN0150BLP4-7B PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für DN0150BLP4-7B - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Assembly/Test Sit Add 1/Mar/2018.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 15/Mar/2021.pdf
Datenblätter
DN0150(A,B)LP4.pdf

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Lieferzeit

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Kontaktieren Sie uns, wenn Sie Fragen haben.

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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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DN0150BLP4-7B

Diodes Incorporated
32D-DN0150BLP4-7B

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