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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelDNBT8105-7
DNBT8105-7 Image
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DNBT8105-7 - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
DNBT8105-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-DNBT8105-7
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS NPN 60V 1A SOT23-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
DNBT8105.pdf
RoHS Status
vorrätig: 566000

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Anzahl

Spezifikation

DNBT8105-7 Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - DNBT8105-7 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - DNBT8105-7

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 60 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 100mA, 1A  
Transistor-Typ NPN  
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3  
Serie -  
Leistung - max 600 mW  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 150MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 500mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 1 A  
Grundproduktnummer DNBT8105  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated DNBT8105-7.

Produkteigenschaften DNBT8105-7 BC818-40 BC548C 2SD1048-7-TB-E
Artikelnummer DNBT8105-7 BC818-40 BC548C 2SD1048-7-TB-E
Hersteller Diodes Incorporated Diotec Semiconductor onsemi onsemi
Frequenz - Übergang 150MHz 100MHz 300MHz 250MHz
Leistung - max 600 mW 310 mW 625 mW 200 mW
Serie - - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 125°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-226-3, TO-92-3 Long Body TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Strom - Kollektor (Ic) (max) 1 A 800 mA 100 mA 700 mA
Grundproduktnummer DNBT8105 - BC548 2SD1048
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 100mA, 1A 700mV @ 50mA, 500mA 250mV @ 500µA, 10mA 80mV @ 10mA, 100mA
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236) TO-92 (TO-226) 3-CP
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 60 V 25 V 30 V 15 V
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA 100nA (ICBO) 15nA 100nA (ICBO)
Transistor-Typ NPN NPN NPN NPN
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 500mA, 5V 250 @ 100mA, 1V 420 @ 2mA, 5V 200 @ 50mA, 2V

DNBT8105-7 Datenblatt PDF

Laden Sie DNBT8105-7 PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für DNBT8105-7 - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Green Encapsulate 15/May/2008.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev A/T Chg 5/Apr/2021.pdf
Datenblätter
DNBT8105.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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DNBT8105-7

Diodes Incorporated
32D-DNBT8105-7

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