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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelDP0150ALP4-7
DP0150ALP4-7 Image
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DP0150ALP4-7 - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
DP0150ALP4-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-DP0150ALP4-7
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PNP 50V 0.1A 3DFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
3-XFDFN
Datenblatt
DP0150(A,B)LP4.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5070

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Anzahl

Spezifikation

DP0150ALP4-7 Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - DP0150ALP4-7 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - DP0150ALP4-7

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 10mA, 100mA  
Transistor-Typ PNP  
Supplier Device-Gehäuse X2-DFN1006-3  
Serie -  
Leistung - max 450 mW  
Verpackung / Gehäuse 3-XFDFN  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 80MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 120 @ 2mA, 6V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA  
Grundproduktnummer DP0150  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated DP0150ALP4-7.

Produkteigenschaften DP0150ALP4-7 DP0150ALP4-7B 2N6520TA BC558BTA
Artikelnummer DP0150ALP4-7 DP0150ALP4-7B 2N6520TA BC558BTA
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Frequenz - Übergang 80MHz 80MHz 200MHz 150MHz
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 10mA, 100mA 300mV @ 10mA, 100mA 1V @ 5mA, 50mA 650mV @ 5mA, 100mA
Transistor-Typ PNP PNP PNP PNP
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V 50 V 350 V 30 V
Leistung - max 450 mW 450 mW 625 mW 500 mW
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO) 50nA (ICBO) 15nA (ICBO)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Through Hole Through Hole
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 120 @ 2mA, 6V 120 @ 2mA, 6V 20 @ 50mA, 10V 200 @ 2mA, 5V
Verpackung / Gehäuse 3-XFDFN 3-XFDFN TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Bulk
Supplier Device-Gehäuse X2-DFN1006-3 X2-DFN1006-3 TO-92-3 TO-92-3
Grundproduktnummer DP0150 DP0150 2N6520 BC558
Serie - - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA 100 mA 500 mA 100 mA

DP0150ALP4-7 Datenblatt PDF

Laden Sie DP0150ALP4-7 PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für DP0150ALP4-7 - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Assembly/Test Sit Add 1/Mar/2018.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 15/Mar/2021.pdf
Datenblätter
DP0150(A,B)LP4.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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DP0150ALP4-7

Diodes Incorporated
32D-DP0150ALP4-7

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