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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-bipolare (BJT)-ArraysDST857BDJ-7
Diodes Incorporated
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DST857BDJ-7 - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
DST857BDJ-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-DST857BDJ-7
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT963
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-963
Datenblatt
DST857BDJ.pdf
RoHS Status
vorrätig: 668150

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Anzahl

Spezifikation

DST857BDJ-7 Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - DST857BDJ-7 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - DST857BDJ-7

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 45V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 5mA, 100mA  
Transistor-Typ 2 PNP (Dual)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-963  
Serie -  
Leistung - max 300mW  
Verpackung / Gehäuse SOT-963  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 340MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 200 @ 2mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 15nA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA  
Grundproduktnummer DST857  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated DST857BDJ-7.

Produkteigenschaften DST857BDJ-7 DST847BDJ-7 DST3904DJ-7 DST3906DJ-7
Artikelnummer DST857BDJ-7 DST847BDJ-7 DST3904DJ-7 DST3906DJ-7
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 45V 45V 40V 40V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 5mA, 100mA 300mV @ 5mA, 100mA 300mV @ 5mA, 50mA 400mV @ 5mA, 50mA
Serie - - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA 100mA 200mA 200mA
Grundproduktnummer DST857 DST847 DST3904 DST3906
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 200 @ 2mA, 5V 200 @ 2mA, 5V 100 @ 10mA, 1V 100 @ 10mA, 1V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor-Typ 2 PNP (Dual) 2 NPN (Dual) 2 NPN (Dual) 2 PNP (Dual)
Supplier Device-Gehäuse SOT-963 SOT-963 SOT-963 SOT-963
Strom - Collector Cutoff (Max) 15nA (ICBO) 15nA (ICBO) - 50nA (ICBO)
Frequenz - Übergang 340MHz 170MHz 300MHz 300MHz
Verpackung / Gehäuse SOT-963 SOT-963 SOT-963 SOT-963
Leistung - max 300mW 300mW 300mW 300mW

DST857BDJ-7 Datenblatt PDF

Laden Sie DST857BDJ-7 PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für DST857BDJ-7 - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN -Design/Spezifikation
BOM C19400 17-May-2022.pdf
Datenblätter
DST857BDJ.pdf

Lieferung

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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