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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelFZT692BQTA
FZT692BQTA Image
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FZT692BQTA - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
FZT692BQTA
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-FZT692BQTA
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
PWR LOW SAT TRANSISTOR SOT223 T&
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-261-4, TO-261AA
Datenblatt
FZT692BQ.pdf
vorrätig: 93760

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Anzahl

Spezifikation

FZT692BQTA Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - FZT692BQTA Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - FZT692BQTA

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 70 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 200mA, 2A  
Transistor-Typ NPN  
Supplier Device-Gehäuse SOT-223  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Leistung - max 1.2 W  
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 150MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 500 @ 100mA, 2V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 50nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 2 A  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated FZT692BQTA.

Produkteigenschaften FZT692BQTA FZT690BQTA FZT694BTA FZT692BTA
Artikelnummer FZT692BQTA FZT690BQTA FZT694BTA FZT692BTA
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 500 @ 100mA, 2V 500 @ 100mA, 2V 150 @ 400mA, 2V 150 @ 1A, 2V
Serie Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 - -
Strom - Kollektor (Ic) (max) 2 A 3 A 1 A 2 A
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Frequenz - Übergang 150MHz 150MHz 130MHz 150MHz
Strom - Collector Cutoff (Max) 50nA 100nA (ICBO) 100nA (ICBO) 100nA
Supplier Device-Gehäuse SOT-223 SOT-223 SOT-223-3 SOT-223-3
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 200mA, 2A 500mV @ 5mA, 1A 500mV @ 5mA, 400mA 500mV @ 200mA, 2A
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor-Typ NPN NPN NPN NPN
Leistung - max 1.2 W 1.2 W 2 W 2 W
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 70 V 45 V 120 V 70 V

FZT692BQTA Datenblatt PDF

Laden Sie FZT692BQTA PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für FZT692BQTA - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Datenblätter
FZT692BQ.pdf

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Lieferzeit

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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Diodes Incorporated
32D-FZT692BQTA

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