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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-bipolare (BJT)-ArraysHBDM60V600W-7
HBDM60V600W-7 Image
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HBDM60V600W-7 - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
HBDM60V600W-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-HBDM60V600W-7
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS NPN/PNP 65V/60V SOT363
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Datenblatt
HBDM60V600W ~.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4870

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Anzahl

Spezifikation

HBDM60V600W-7 Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - HBDM60V600W-7 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - HBDM60V600W-7

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 65V, 60V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 50mA, 500mA  
Transistor-Typ NPN, PNP  
Supplier Device-Gehäuse SOT-363  
Serie -  
Leistung - max 200mW  
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 100MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 100mA, 1V / 100 @ 150mA, 10V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 500mA, 600mA  
Grundproduktnummer HBDM60V600  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated HBDM60V600W-7.

Produkteigenschaften HBDM60V600W-7 NCV1413BDR2G MMDT3906 NST3906DP6T5G
Artikelnummer HBDM60V600W-7 NCV1413BDR2G MMDT3906 NST3906DP6T5G
Hersteller Diodes Incorporated onsemi Yangjie Technology onsemi
Supplier Device-Gehäuse SOT-363 16-SOIC SOT-363 SOT-963
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA - 50nA (ICBO) -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C (TJ)
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 50mA, 500mA 1.6V @ 500µA, 350mA 400mV @ 5mA, 50mA 400mV @ 5mA, 50mA
Leistung - max 200mW - 200mW 350mW
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 100mA, 1V / 100 @ 150mA, 10V 1000 @ 350mA, 2V 100 @ 10mA, 1V 100 @ 10mA, 1V
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 65V, 60V 50V 40V 40V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Transistor-Typ NPN, PNP 7 NPN Darlington 2 PNP (Dual) 2 PNP (Dual)
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SOT-963
Serie - - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Frequenz - Übergang 100MHz - 250MHz 250MHz
Grundproduktnummer HBDM60V600 NCV1413 MMDT3906 NST3906
Strom - Kollektor (Ic) (max) 500mA, 600mA 500mA 200mA 200mA

HBDM60V600W-7 Datenblatt PDF

Laden Sie HBDM60V600W-7 PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für HBDM60V600W-7 - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Bond Wire 16/Sept/2008.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Assembly Chgs 5/May/2020.pdf
Datenblätter
HBDM60V600W ~.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Diodes Incorporated
32D-HBDM60V600W-7

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