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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelMJD31CQ-13
MJD31CQ-13 Image
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MJD31CQ-13 - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
MJD31CQ-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-MJD31CQ-13
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS NPN 100V 3A TO252-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
MJD31CQ.pdf
RoHS Status
vorrätig: 179100

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Anzahl

Spezifikation

MJD31CQ-13 Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - MJD31CQ-13 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - MJD31CQ-13

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 100 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.2V @ 375mA, 3A  
Transistor-Typ NPN  
Supplier Device-Gehäuse TO-252-3  
Serie -  
Leistung - max 15 W  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 3MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 10 @ 3A, 4V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 1µA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 3 A  
Grundproduktnummer MJD31  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated MJD31CQ-13.

Produkteigenschaften MJD31CQ-13 MJD31CT4 MJD31CG MJD31CEITU
Artikelnummer MJD31CQ-13 MJD31CT4 MJD31CG MJD31CEITU
Hersteller Diodes Incorporated onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Frequenz - Übergang 3MHz 3MHz 3MHz 3MHz
Strom - Kollektor (Ic) (max) 3 A 3 A 3 A 3 A
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paket Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tube Bulk
Transistor-Typ NPN NPN NPN NPN
Serie - - - -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 100 V 100 V 100 V 100 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.2V @ 375mA, 3A 1.2V @ 375mA, 3A 1.2V @ 375mA, 3A 1.2V @ 375mA, 3A
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 10 @ 3A, 4V 10 @ 3A, 4V 10 @ 3A, 4V 60 @ 100mA, 1V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Leistung - max 15 W 15 W 1.56 W 1.56 W
Grundproduktnummer MJD31 MJD31 MJD31 MJD31
Supplier Device-Gehäuse TO-252-3 DPAK DPAK TO-252-3 (DPAK)
Strom - Collector Cutoff (Max) 1µA 50µA 50µA 50µA

MJD31CQ-13 Datenblatt PDF

Laden Sie MJD31CQ-13 PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für MJD31CQ-13 - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Die Passivation 02/Jun/2023.pdf
Datenblätter
MJD31CQ.pdf

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Lieferzeit

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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MJD31CQ-13

Diodes Incorporated
32D-MJD31CQ-13

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