Spezifikation
MMBT123S-7 Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - MMBT123S-7 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - MMBT123S-7
| Produkteigenschaften |
Eigenschaften
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| Hersteller |
Diodes Incorporated |
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| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) |
18V |
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| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic |
500mV @ 30mA, 300mA |
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| Transistor-Typ |
NPN |
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| Supplier Device-Gehäuse |
SOT-23-3 |
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| Serie |
Automotive, AEC-Q101 |
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| Leistung - max |
300mW |
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| Verpackung |
Tape & Reel (TR) |
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| Verpackung / Gehäuse |
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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| Andere Namen |
MMBT123SDITR |
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| Produkteigenschaften |
Eigenschaften
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| Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
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| Befestigungsart |
Surface Mount |
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| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) |
1 (Unlimited) |
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| Bleifreier Status / RoHS-Status |
Contains lead / RoHS non-compliant |
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| Frequenz - Übergang |
100MHz |
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| detaillierte Beschreibung |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 18V 1A 100MHz 300mW Surface Mount SOT-23-3 |
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| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE |
150 @ 100mA, 1V |
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| Strom - Collector Cutoff (Max) |
1µA (ICBO) |
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| Strom - Kollektor (Ic) (max) |
1A |
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| Basisteilenummer |
MMBT123S |
|
Lieferung
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| Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder |
| Region |
Land |
Logistische Zeit (Tag) |
| Amerika |
Vereinigte Staaten |
5 |
| Brasilien |
7 |
| Europa |
Deutschland |
5 |
| Großbritannien |
4 |
| Italien |
5 |
| Ozeanien |
Australien |
6 |
| Neuseeland |
5 |
| Asien |
Indien |
4 |
| Japan |
4 |
| Naher Osten |
Israel |
6 |
| DHL & FedEx -Versandkosten Referenz |
| Versandkosten (KG) |
Referenz DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg |
USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg |
USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg |
USD$50.00 - USD$100.00 |
- Notiz:
- Die obige Tabelle dient nur als Referenz.Möglicherweise gibt es einige Datenverzerrungen für die unkontrollierbaren Faktoren.
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MMBT1616ACJ
MMBR951LT1GAMI Semiconductor/onsemi
MMBT1616Diodes Incorporated