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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelMMBTA55-7-F
MMBTA55-7-F Image
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MMBTA55-7-F - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
MMBTA55-7-F
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-MMBTA55-7-F
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PNP 60V 0.5A SOT23-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
MMBTA55,56.pdf
RoHS Status
vorrätig: 776750

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Anzahl

Spezifikation

MMBTA55-7-F Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - MMBTA55-7-F Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - MMBTA55-7-F

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 60 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 100mA  
Transistor-Typ PNP  
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Leistung - max 300 mW  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 50MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 100mA, 1V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 500 mA  
Grundproduktnummer MMBTA55  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated MMBTA55-7-F.

Produkteigenschaften MMBTA55-7-F MMBTA56 MMBTA56 MMBTA55
Artikelnummer MMBTA55-7-F MMBTA56 MMBTA56 MMBTA55
Hersteller Diodes Incorporated Yangjie Technology Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Bulk
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 60 V 80 V 80 V 60 V
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 SOT-23 SOD-323 SOT-23-3
Grundproduktnummer MMBTA55 - MMBTA56 MMBTA55
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 100mA, 1V 100 @ 100mA, 1V 100 @ 100mA, 1V 100 @ 100mA, 1V
Strom - Kollektor (Ic) (max) 500 mA 500 mA 500 mA 500 mA
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 100mA 250mV @ 10mA, 100mA 250mV @ 10mA, 100mA 250mV @ 10mA, 100mA
Frequenz - Übergang 50MHz 50MHz 50MHz 50MHz
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SC-90, SOD-323F TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO) 100nA 100nA (ICBO) 100nA
Transistor-Typ PNP PNP PNP PNP
Leistung - max 300 mW 225 mW 250 mW 350 mW
Serie Automotive, AEC-Q101 - - -

MMBTA55-7-F Datenblatt PDF

Laden Sie MMBTA55-7-F PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für MMBTA55-7-F - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN Andere
Copper Bond Wire and Wafer Source 07/Nov/2013.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Green Encapsulate 15/May/2008.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Wafer Source 21/Apr/2017.pdf
Datenblätter
MMBTA55,56.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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  1. Telefon
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Diodes Incorporated
32D-MMBTA55-7-F

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