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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelMMST5401-7-F
MMST5401-7-F Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

MMST5401-7-F - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
MMST5401-7-F
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-MMST5401-7-F
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PNP 150V 0.2A SOT323
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-70, SOT-323
Datenblatt
MMST5401 ~.pdf
RoHS Status
vorrätig: 561200

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Anzahl

Spezifikation

MMST5401-7-F Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - MMST5401-7-F Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - MMST5401-7-F

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 150 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 5mA, 50mA  
Transistor-Typ PNP  
Supplier Device-Gehäuse SOT-323  
Serie -  
Leistung - max 200 mW  
Verpackung / Gehäuse SC-70, SOT-323  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 300MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 60 @ 10mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 50nA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 200 mA  
Grundproduktnummer MMST5401  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated MMST5401-7-F.

Produkteigenschaften MMST5401-7-F MMST4401T146 MMST5551-7-F MMST5551
Artikelnummer MMST5401-7-F MMST4401T146 MMST5551-7-F MMST5551
Hersteller Diodes Incorporated Rohm Semiconductor Diodes Incorporated Yangjie Technology
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verpackung / Gehäuse SC-70, SOT-323 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SC-70, SOT-323 SC-70, SOT-323
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Grundproduktnummer MMST5401 MMST4401 MMST5551 -
Serie - - - -
Frequenz - Übergang 300MHz 250MHz 300MHz 300MHz
Leistung - max 200 mW 200 mW 200 mW 200 mW
Strom - Collector Cutoff (Max) 50nA (ICBO) 100nA (ICBO) 50nA (ICBO) 50nA
Supplier Device-Gehäuse SOT-323 SMT3 SOT-323 SOT-323
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 5mA, 50mA 750mV @ 50mA, 500mA 200mV @ 5mA, 50mA 200mV @ 5mA, 50mA
Strom - Kollektor (Ic) (max) 200 mA 600 mA 200 mA 200 mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 60 @ 10mA, 5V 100 @ 150mA, 1V 80 @ 10mA, 5V 80 @ 10mA, 5V
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 150 V 40 V 160 V 160 V
Transistor-Typ PNP NPN NPN NPN

MMST5401-7-F Datenblatt PDF

Laden Sie MMST5401-7-F PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für MMST5401-7-F - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN Andere
Copper Bond Wire and Wafer Source 07/Nov/2013.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev A/T Chg 5/Apr/2021.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Copper bond wire 23/Feb/2016.pdf Die Passivation 13/Jun/2023.pdf
Datenblätter
MMST5401 ~.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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