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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelZTX558QSTZ
Diodes Incorporated
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ZTX558QSTZ - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
ZTX558QSTZ
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-ZTX558QSTZ
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR EP3 AM
detaillierte Beschreibung
Verpackung
E-Line-3, Formed Leads
Datenblatt
ZTX558.pdf
vorrätig: 154480

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Anzahl

Spezifikation

ZTX558QSTZ Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - ZTX558QSTZ Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - ZTX558QSTZ

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 400 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 6mA, 50mA  
Transistor-Typ PNP - Darlington  
Supplier Device-Gehäuse E-Line (TO-92 compatible)  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Leistung - max 1 W  
Verpackung / Gehäuse E-Line-3, Formed Leads  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Box (TB)  
Betriebstemperatur -55°C ~ 200°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Frequenz - Übergang 50MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 50mA, 10V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 200 mA  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated ZTX558QSTZ.

Produkteigenschaften ZTX558QSTZ ZTX558STZ ZTX603 ZTX550QSTZ
Artikelnummer ZTX558QSTZ ZTX558STZ ZTX603 ZTX550QSTZ
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 400 V 400 V 80 V 45 V
Strom - Kollektor (Ic) (max) 200 mA 200 mA 1 A 1 A
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 6mA, 50mA 500mV @ 6mA, 50mA 1V @ 1mA, 1A 250mV @ 15mA, 150mA
Leistung - max 1 W 1 W 1 W 1 W
Transistor-Typ PNP - Darlington PNP NPN - Darlington PNP
Supplier Device-Gehäuse E-Line (TO-92 compatible) E-Line (TO-92 compatible) E-Line (TO-92 compatible) E-Line (TO-92 compatible)
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 50mA, 10V 100 @ 50mA, 10V 2000 @ 1A, 5V 100 @ 150mA, 10V
Paket Tape & Box (TB) Cut Tape (CT) Bulk Tape & Box (TB)
Verpackung / Gehäuse E-Line-3, Formed Leads E-Line-3, Formed Leads E-Line-3 E-Line-3, Formed Leads
Frequenz - Übergang 50MHz 50MHz 150MHz 150MHz
Serie Automotive, AEC-Q101 - - -
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Betriebstemperatur -55°C ~ 200°C (TJ) -55°C ~ 200°C (TJ) -55°C ~ 200°C (TJ) -55°C ~ 200°C (TJ)
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA 100nA 10µA 100nA (ICBO)

ZTX558QSTZ Datenblatt PDF

Laden Sie ZTX558QSTZ PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für ZTX558QSTZ - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Datenblätter
ZTX558.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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