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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelZTX694BSTZ
ZTX694BSTZ Image
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ZTX694BSTZ - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
ZTX694BSTZ
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-ZTX694BSTZ
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS NPN 120V 0.5A E-LINE
detaillierte Beschreibung
Verpackung
E-Line-3, Formed Leads
Datenblatt
ZTX694B.pdf
RoHS Status
vorrätig: 75060

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Anzahl

Spezifikation

ZTX694BSTZ Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - ZTX694BSTZ Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - ZTX694BSTZ

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 120 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 5mA, 400mA  
Transistor-Typ NPN  
Supplier Device-Gehäuse E-Line (TO-92 compatible)  
Serie -  
Leistung - max 1 W  
Verpackung / Gehäuse E-Line-3, Formed Leads  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Cut Tape (CT)  
Betriebstemperatur -55°C ~ 200°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Frequenz - Übergang 130MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 400 @ 200mA, 2V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 500 mA  
Grundproduktnummer ZTX694  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated ZTX694BSTZ.

Produkteigenschaften ZTX694BSTZ ZTX718 ZTX705STZ ZTX749
Artikelnummer ZTX694BSTZ ZTX718 ZTX705STZ ZTX749
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated onsemi
Betriebstemperatur -55°C ~ 200°C (TJ) -55°C ~ 200°C (TJ) -55°C ~ 200°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse E-Line-3, Formed Leads E-Line-3 E-Line-3, Formed Leads TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Leistung - max 1 W 1 W 1 W 1 W
Grundproduktnummer ZTX694 ZTX718 ZTX705 ZTX749
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 120 V 20 V 120 V 25 V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 5mA, 400mA 260mV @ 200mA, 2.5A 2.5V @ 2mA, 2A 500mV @ 200mA, 2A
Serie - - - -
Frequenz - Übergang 130MHz 180MHz 160MHz 100MHz
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 400 @ 200mA, 2V 150 @ 2A, 2V 3000 @ 1A, 5V 100 @ 1A, 2V
Strom - Kollektor (Ic) (max) 500 mA 2.5 A 1 A 2 A
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO) 100nA 10µA 100nA (ICBO)
Supplier Device-Gehäuse E-Line (TO-92 compatible) E-Line (TO-92 compatible) E-Line (TO-92 compatible) TO-226
Transistor-Typ NPN PNP PNP - Darlington PNP
Paket Cut Tape (CT) Bulk Tape & Box (TB) Bulk

ZTX694BSTZ Datenblatt PDF

Laden Sie ZTX694BSTZ PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für ZTX694BSTZ - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Datenblätter
ZTX694B.pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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ZTX694BSTZ

Diodes Incorporated
32D-ZTX694BSTZ

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