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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelZTX857
ZTX857 Image
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ZTX857 - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
ZTX857
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-ZTX857
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS NPN 300V 3A E-LINE
detaillierte Beschreibung
Verpackung
E-Line-3
Datenblatt
ZTX857.pdf
RoHS Status
vorrätig: 91120

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Anzahl

Spezifikation

ZTX857 Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - ZTX857 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - ZTX857

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 300 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 600mA, 3A  
Transistor-Typ NPN  
Supplier Device-Gehäuse E-Line (TO-92 compatible)  
Serie -  
Leistung - max 1.2 W  
Verpackung / Gehäuse E-Line-3  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Bulk  
Betriebstemperatur -55°C ~ 200°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Frequenz - Übergang 80MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 500mA, 10V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 50nA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 3 A  
Grundproduktnummer ZTX857  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated ZTX857.

Produkteigenschaften ZTX857 ZTX796A ZTX851 ZTX948
Artikelnummer ZTX857 ZTX796A ZTX851 ZTX948
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 500mA, 10V 300 @ 10mA, 5V 100 @ 2A, 1V 100 @ 1A, 1V
Leistung - max 1.2 W 1 W 1.2 W 1.2 W
Verpackung / Gehäuse E-Line-3 E-Line-3 E-Line-3 E-Line-3
Serie - - - -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 300 V 200 V 60 V 20 V
Strom - Collector Cutoff (Max) 50nA (ICBO) 100nA 50nA (ICBO) 50nA (ICBO)
Supplier Device-Gehäuse E-Line (TO-92 compatible) E-Line (TO-92 compatible) E-Line (TO-92 compatible) E-Line (TO-92 compatible)
Frequenz - Übergang 80MHz 100MHz 130MHz 80MHz
Strom - Kollektor (Ic) (max) 3 A 500 mA 5 A 4.5 A
Paket Bulk Bulk Bulk Bulk
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Transistor-Typ NPN PNP NPN PNP
Betriebstemperatur -55°C ~ 200°C (TJ) -55°C ~ 200°C (TJ) -55°C ~ 200°C (TJ) -55°C ~ 200°C (TJ)
Grundproduktnummer ZTX857 ZTX796A ZTX851 ZTX948
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 600mA, 3A 300mV @ 20mA, 200mA 250mV @ 200mA, 5A 310mV @ 300mA, 5A

ZTX857 Datenblatt PDF

Laden Sie ZTX857 PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für ZTX857 - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Plating Site Add 24/Feb/2017.pdf
Datenblätter
ZTX857.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Kontaktieren Sie uns, wenn Sie Fragen haben.

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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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ZTX857

Diodes Incorporated
32D-ZTX857

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