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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelZVN2106A
ZVN2106A Image
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ZVN2106A - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
ZVN2106A
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-ZVN2106A
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 450MA TO92-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Datenblatt
ZVN2106ASTZ.pdf
RoHS Status
vorrätig: 189970

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Anzahl

Spezifikation

ZVN2106A Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - ZVN2106A Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - ZVN2106A

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 2.4V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-92  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 1A, 10V  
Verlustleistung (max) 700mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 75 pF @ 18 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 450mA (Ta)  
Grundproduktnummer ZVN2106  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated ZVN2106A.

Produkteigenschaften ZVN2106A ZVN0545A ZVN0545GTA ZVN2106GTA
Artikelnummer ZVN2106A ZVN0545A ZVN0545GTA ZVN2106GTA
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Verlustleistung (max) 700mW (Ta) 700mW (Ta) 2W (Ta) 2W (Ta)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Surface Mount Surface Mount
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 450mA (Ta) 90mA (Ta) 140mA (Ta) 710mA (Ta)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 75 pF @ 18 V 70 pF @ 25 V 70 pF @ 25 V 75 pF @ 18 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
VGS (th) (Max) @ Id 2.4V @ 1mA 3V @ 1mA 3V @ 1mA 2.4V @ 1mA
Serie - - - -
FET-Merkmal - - - -
Grundproduktnummer ZVN2106 ZVN0545 ZVN0545 ZVN2106
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Paket Bulk Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 450 V 450 V 60 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 1A, 10V 50Ohm @ 100mA, 10V 50Ohm @ 100mA, 10V 2Ohm @ 1A, 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verpackung / Gehäuse TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA
Supplier Device-Gehäuse TO-92 TO-92 SOT-223-3 SOT-223-3

ZVN2106A Datenblatt PDF

Laden Sie ZVN2106A PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für ZVN2106A - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Plating Site Add 24/Feb/2017.pdf
Datenblätter
ZVN2106ASTZ.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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