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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelZVN4306GTC
Diodes Incorporated
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

ZVN4306GTC - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
ZVN4306GTC
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-ZVN4306GTC
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-261-4, TO-261AA
Datenblatt
ZVN4306G.pdf
vorrätig: 3600

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Spezifikation

ZVN4306GTC Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - ZVN4306GTC Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - ZVN4306GTC

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-223-3  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 330mOhm @ 3A, 10V  
Verlustleistung (max) 3W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 350 pF @ 25 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.1A (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated ZVN4306GTC.

Produkteigenschaften ZVN4306GTC ZVN4310GTC ZVN4210ASTZ ZVN4306GVTA
Artikelnummer ZVN4306GTC ZVN4310GTC ZVN4210ASTZ ZVN4306GVTA
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 350 pF @ 25 V 350 pF @ 25 V 100 pF @ 25 V 350 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Verlustleistung (max) 3W (Ta) 3W (Ta) 700mW (Ta) 3W (Ta)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA 3V @ 1mA 2.4V @ 1mA 3V @ 1mA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Box (TB) Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA E-Line-3 TO-261-4, TO-261AA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V 5V, 10V 5V, 10V 5V, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.1A (Ta) 1.67A (Ta) 450mA (Ta) 2.1A (Ta)
Serie - - - -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
FET-Merkmal - - - -
Supplier Device-Gehäuse SOT-223-3 SOT-223-3 E-Line (TO-92 compatible) SOT-223-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 330mOhm @ 3A, 10V 540mOhm @ 3.3A, 10V 1.5Ohm @ 1.5A, 10V 330mOhm @ 3A, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 100 V 100 V 60 V

ZVN4306GTC Datenblatt PDF

Laden Sie ZVN4306GTC PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für ZVN4306GTC - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Datenblätter
ZVN4306G.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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