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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelZVN4525E6TA
ZVN4525E6TA Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

ZVN4525E6TA - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
ZVN4525E6TA
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-ZVN4525E6TA
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 250V 230MA SOT-23-6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-23-6
Datenblatt
ZVN4525E6.pdf
RoHS Status
vorrätig: 127360

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Anzahl

Spezifikation

ZVN4525E6TA Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - ZVN4525E6TA Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - ZVN4525E6TA

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 1.8V @ 1mA  
Vgs (Max) ±40V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-6  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5Ohm @ 500mA, 10V  
Verlustleistung (max) 1.1W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 72 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.65 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.4V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 230mA (Ta)  
Grundproduktnummer ZVN4525  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated ZVN4525E6TA.

Produkteigenschaften ZVN4525E6TA ZVN4525GTA ZVN4424GTC ZVN4310GTA
Artikelnummer ZVN4525E6TA ZVN4525GTA ZVN4424GTC ZVN4310GTA
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V 250 V 240 V 100 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±40V ±40V ±40V ±20V
Verlustleistung (max) 1.1W (Ta) 2W (Ta) 2.5W (Ta) 3W (Ta)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 72 pF @ 25 V 72 pF @ 25 V 200 pF @ 25 V 350 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5Ohm @ 500mA, 10V 8.5Ohm @ 500mA, 10V 5.5Ohm @ 500mA, 10V 540mOhm @ 3.3A, 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Grundproduktnummer ZVN4525 ZVN4525 - ZVN4310
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.4V, 10V 2.5V, 10V 2.5V, 10V 5V, 10V
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.65 nC @ 10 V 3.65 nC @ 10 V - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6 TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA
VGS (th) (Max) @ Id 1.8V @ 1mA 1.8V @ 1mA 1.8V @ 1mA 3V @ 1mA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 230mA (Ta) 310mA (Ta) 500mA (Ta) 1.67A (Ta)
Serie - - - -
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-6 SOT-223-3 SOT-223-3 SOT-223-3

ZVN4525E6TA Datenblatt PDF

Laden Sie ZVN4525E6TA PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für ZVN4525E6TA - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN Andere
Copper Bond Wire and Wafer Source 07/Nov/2013.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Leadframe Material Update 09/Apr/2014.pdf Date Code Mark Update 13/Jan/2015.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021.pdf
Datenblätter
ZVN4525E6.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Diodes Incorporated
32D-ZVN4525E6TA

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