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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelZVP2120GTA
Diodes Incorporated
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

ZVP2120GTA - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
ZVP2120GTA
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-ZVP2120GTA
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 200V 200MA SOT223
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-261-4, TO-261AA
Datenblatt
ZVP2120G.pdf
RoHS Status
vorrätig: 131940

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Anzahl

Spezifikation

ZVP2120GTA Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - ZVP2120GTA Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - ZVP2120GTA

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 1mA  
Vgs (Max) -  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-223-3  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25Ohm @ 150mA, 10V  
Verlustleistung (max) 2W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 100 pF @ 25 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 200mA (Ta)  
Grundproduktnummer ZVP2120  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated ZVP2120GTA.

Produkteigenschaften ZVP2120GTA ZVP3306A ZVP2110ASTZ ZVP2120A
Artikelnummer ZVP2120GTA ZVP3306A ZVP2110ASTZ ZVP2120A
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 100 pF @ 25 V 50 pF @ 18 V 100 pF @ 25 V 100 pF @ 25 V
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) E-Line-3 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Through Hole Through Hole
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V 60 V 100 V 200 V
Vgs (Max) - ±20V ±20V ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 1mA 3.5V @ 1mA 3.5V @ 1mA 3.5V @ 1mA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 200mA (Ta) 160mA (Ta) 230mA (Ta) 120mA (Ta)
Verlustleistung (max) 2W (Ta) 625mW (Ta) 700mW (Ta) 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25Ohm @ 150mA, 10V 14Ohm @ 200mA, 10V 8Ohm @ 375mA, 10V 25Ohm @ 150mA, 10V
Grundproduktnummer ZVP2120 ZVP3306 ZVP2110 ZVP2120
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Box (TB) Bulk
Serie - - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
FET-Merkmal - - - -
Supplier Device-Gehäuse SOT-223-3 TO-92 E-Line (TO-92 compatible) TO-92

ZVP2120GTA Datenblatt PDF

Laden Sie ZVP2120GTA PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für ZVP2120GTA - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Date Code Mark Update 13/Jan/2015.pdf
Datenblätter
ZVP2120G.pdf

Lieferung

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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