ZVP4525GTA Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - ZVP4525GTA Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - ZVP4525GTA

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Hersteller	Diodes Incorporated
VGS (th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Vgs (Max)	±40V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	SOT-223-3
Serie	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14Ohm @ 200mA, 10V
Verlustleistung (max)	2W (Ta)
Verpackung / Gehäuse	TO-261-4, TO-261AA
Paket	Tape & Reel (TR)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	73 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	3.45 nC @ 10 V
Typ FET	P-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	3.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	250 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	265mA (Ta)
Grundproduktnummer	ZVP4525

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated ZVP4525GTA.

Produkteigenschaften
Artikelnummer	ZVP4525GTA	ZVP4424ZTA	ZVP4525E6TA	ZVP4525ZTA
Hersteller	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	265mA (Ta)	200mA (Ta)	197mA (Ta)	205mA (Ta)
VGS (th) (Max) @ Id	2V @ 1mA	2V @ 1mA	2V @ 1mA	2V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14Ohm @ 200mA, 10V	9Ohm @ 200mA, 10V	14Ohm @ 200mA, 10V	14Ohm @ 200mA, 10V
Vgs (Max)	±40V	±40V	±40V	±40V
Verpackung / Gehäuse	TO-261-4, TO-261AA	TO-243AA	SOT-23-6	TO-243AA
Paket	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	3.45 nC @ 10 V	-	3.45 nC @ 10 V	3.45 nC @ 10 V
Serie	-	-	-	-
Grundproduktnummer	ZVP4525	ZVP4424	ZVP4525	ZVP4525
FET-Merkmal	-	-	-	-
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	73 pF @ 25 V	200 pF @ 25 V	73 pF @ 25 V	73 pF @ 25 V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	SOT-223-3	SOT-89-3	SOT-23-6	SOT-89-3
Verlustleistung (max)	2W (Ta)	1.5W (Ta)	1.1W (Ta)	1.2W (Ta)
Typ FET	P-Channel	P-Channel	P-Channel	P-Channel
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Drain-Source-Spannung (Vdss)	250 V	240 V	250 V	250 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	3.5V, 10V	3.5V, 10V	3.5V, 10V	3.5V, 10V

ZVP4525GTA Datenblatt PDF

Laden Sie ZVP4525GTA PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für ZVP4525GTA - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen: Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN -Design/Spezifikation: Date Code Mark Update 13/Jan/2015.pdf
Datenblätter: ZVP4525G.pdf

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Region	Land	Logistische Zeit (Tag)
Amerika	Vereinigte Staaten	5
Amerika	Brasilien	7
Europa	Deutschland	5
	Großbritannien	4
	Italien	5
Ozeanien	Australien	6
Ozeanien	Neuseeland	5
Asien	Indien	4
Asien	Japan	4
Naher Osten	Israel	6

DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG)	Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg	USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg	USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg	USD$50.00 - USD$100.00

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