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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelZXMN4A06GQTA
Diodes Incorporated
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ZXMN4A06GQTA - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
ZXMN4A06GQTA
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-ZXMN4A06GQTA
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET BVDSS: 31V~40V SOT223 T&R
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-261-4, TO-261AA
Datenblatt
ZXMN4A06GQ.pdf
vorrätig: 54260

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Anzahl

Spezifikation

ZXMN4A06GQTA Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - ZXMN4A06GQTA Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - ZXMN4A06GQTA

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-223-3  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 4.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 2W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 746 pF @ 40 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5A (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated ZXMN4A06GQTA.

Produkteigenschaften ZXMN4A06GQTA ZXMN4A06KTC ZXMN4A06GTA ZXMN61N03FTA
Artikelnummer ZXMN4A06GQTA ZXMN4A06KTC ZXMN4A06GTA ZXMN61N03FTA
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated ZETEX
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-261-4, TO-261AA -
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 10 V 17.1 nC @ 10 V 18.2 nC @ 10 V -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 746 pF @ 40 V 827 pF @ 20 V 770 pF @ 40 V -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5A (Ta) 7.2A (Ta) 5A (Ta) -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 40 V 40 V -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V -
Supplier Device-Gehäuse SOT-223-3 TO-252-3 SOT-223-3 -
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 2W (Ta) 2.15W (Ta) 2W (Ta) -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 4.5A, 10V 50mOhm @ 4.5A, 10V 50mOhm @ 4.5A, 10V -
Serie Automotive, AEC-Q101 - - -

ZXMN4A06GQTA Datenblatt PDF

Laden Sie ZXMN4A06GQTA PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für ZXMN4A06GQTA - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Datenblätter
ZXMN4A06GQ.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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