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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelZXMP3A16N8TA
Diodes Incorporated
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

ZXMP3A16N8TA - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
ZXMP3A16N8TA
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-ZXMP3A16N8TA
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 5.6A 8SO
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
ZXMP3A16N8.pdf
RoHS Status
vorrätig: 72400

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Anzahl

Spezifikation

ZXMP3A16N8TA Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - ZXMP3A16N8TA Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - ZXMP3A16N8TA

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SO  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 4.2A, 10V  
Verlustleistung (max) 1.9W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1022 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29.6 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.6A (Ta)  
Grundproduktnummer ZXMP3A16  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated ZXMP3A16N8TA.

Produkteigenschaften ZXMP3A16N8TA ZXMP3A16GTA ZXMP3A13FTA ZXMP3F35N8TA
Artikelnummer ZXMP3A16N8TA ZXMP3A16GTA ZXMP3A13FTA ZXMP3F35N8TA
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1022 pF @ 15 V 1022 pF @ 15 V 206 pF @ 15 V 4600 pF @ 15 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Verlustleistung (max) 1.9W (Ta) 2W (Ta) 625mW (Ta) 1.56W (Ta)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.6A (Ta) 5.4A (Ta) 1.4A (Ta) 9.3A (Ta)
Supplier Device-Gehäuse 8-SO SOT-223-3 SOT-23-3 8-SO
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 2.6V @ 250µA
Serie - - - -
Grundproduktnummer ZXMP3A16 ZXMP3A16 ZXMP3A13 -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-261-4, TO-261AA TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29.6 nC @ 10 V 29.6 nC @ 10 V 6.4 nC @ 10 V 77.1 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 4.2A, 10V 45mOhm @ 4.2A, 10V 210mOhm @ 1.4A, 10V 12mOhm @ 12A, 10V

ZXMP3A16N8TA Datenblatt PDF

Laden Sie ZXMP3A16N8TA PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für ZXMP3A16N8TA - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev Die Layer Add 30/Nov/2018.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021.pdf
Datenblätter
ZXMP3A16N8.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Asien Indien 4
Japan 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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