ZXMP4A16GTA Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - ZXMP4A16GTA Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - ZXMP4A16GTA

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Hersteller	Diodes Incorporated
VGS (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	SOT-223-3
Serie	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60mOhm @ 3.8A, 10V
Verlustleistung (max)	2W (Ta)
Verpackung / Gehäuse	TO-261-4, TO-261AA
Paket	Tape & Reel (TR)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1007 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	26.1 nC @ 10 V
Typ FET	P-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	6.4A (Ta)
Grundproduktnummer	ZXMP4A16

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated ZXMP4A16GTA.

Produkteigenschaften
Artikelnummer	ZXMP4A16GTA	ZXMP3F36N8TA	ZXMP6A13FQTA	ZXMP4A16KTC
Hersteller	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	4.5V, 10V	4.5V, 10V	4.5V, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1007 pF @ 20 V	2265 pF @ 15 V	219 pF @ 30 V	965 pF @ 20 V
Verlustleistung (max)	2W (Ta)	1.56W (Ta)	625mW (Ta)	2.15W (Ta)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40 V	30 V	60 V	40 V
Typ FET	P-Channel	P-Channel	P-Channel	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse	TO-261-4, TO-261AA	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Befestigungsart	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
FET-Merkmal	-	-	-	-
Paket	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Serie	-	-	-	-
Vgs (Max)	±20V	±20V	±20V	±20V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	6.4A (Ta)	7.2A (Ta)	900mA (Ta)	6.6A (Ta)
Supplier Device-Gehäuse	SOT-223-3	8-SO	SOT-23-3	TO-252-3
Grundproduktnummer	ZXMP4A16	-	ZXMP6A13	ZXMP4A16
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60mOhm @ 3.8A, 10V	20mOhm @ 10A, 10V	400mOhm @ 900mA, 10V	60mOhm @ 3.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	26.1 nC @ 10 V	43.9 nC @ 15 V	2.9 nC @ 4.5 V	29.6 nC @ 10 V
VGS (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA	2.5V @ 250µA	3V @ 250µA	1V @ 250µA

ZXMP4A16GTA Datenblatt PDF

Laden Sie ZXMP4A16GTA PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für ZXMP4A16GTA - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen: Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN -Design/Spezifikation: Date Code Mark Update 13/Jan/2015.pdf Mult Dev Die Layer Add 30/Nov/2018.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft: Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021.pdf
Datenblätter: ZXMP4A16G.pdf

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	Großbritannien	4
	Italien	5
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Ozeanien	Neuseeland	5
Asien	Indien	4
Asien	Japan	4
Naher Osten	Israel	6

DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
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0.00kg-1.00kg	USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg	USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg	USD$50.00 - USD$100.00

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