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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelZXT10N50DE6TA
ZXT10N50DE6TA Image
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ZXT10N50DE6TA - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
ZXT10N50DE6TA
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-ZXT10N50DE6TA
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS NPN 50V 3A SOT23-6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-23-6
Datenblatt
ZXT10N50DE6.pdf
ZXMN2A01E6.pdf
RoHS Status
vorrätig: 196550

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Anzahl

Spezifikation

ZXT10N50DE6TA Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - ZXT10N50DE6TA Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - ZXT10N50DE6TA

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 100mA, 3A  
Transistor-Typ NPN  
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-6  
Serie -  
Leistung - max 1.1 W  
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 165MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 2A, 2V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 3 A  
Grundproduktnummer ZXT10N50  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated ZXT10N50DE6TA.

Produkteigenschaften ZXT10N50DE6TA ZXT10P40DE6TA ZXT10N20DE6TA ZXT11N15DFTA
Artikelnummer ZXT10N50DE6TA ZXT10P40DE6TA ZXT10N20DE6TA ZXT11N15DFTA
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-6 SOT-23-6 SOT-23-6 SOT-23-3
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 100mA, 3A 300mV @ 200mA, 2A 250mV @ 100mA, 3.5A 150mV @ 150mA, 3A
Frequenz - Übergang 165MHz 190MHz 140MHz 145MHz
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 2A, 2V 180 @ 1A, 2V 200 @ 2A, 2V 300 @ 200mA, 2V
Transistor-Typ NPN PNP NPN NPN
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA 100nA 100nA 100nA
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6 SOT-23-6 SOT-23-6 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V 40 V 20 V 15 V
Leistung - max 1.1 W 1.1 W 1.1 W 625 mW
Grundproduktnummer ZXT10N50 ZXT10P40 ZXT10N20 ZXT11N15
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie - - - -
Strom - Kollektor (Ic) (max) 3 A 2 A 3.5 A 3 A

ZXT10N50DE6TA Datenblatt PDF

Laden Sie ZXT10N50DE6TA PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für ZXT10N50DE6TA - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN Andere
Copper Bond Wire and Wafer Source 07/Nov/2013.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Date Code Mark Update 13/Jan/2015.pdf Mult Dev Layer Add 26/Nov/2019.pdf
Datenblätter
ZXT10N50DE6.pdf ZXMN2A01E6.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly/Test Site Addition 01/Jun/2015.pdf

Lieferung

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Diodes Incorporated
32D-ZXT10N50DE6TA

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