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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-bipolare (BJT)-ArraysZXTD6717E6TA
ZXTD6717E6TA Image
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ZXTD6717E6TA - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
ZXTD6717E6TA
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-ZXTD6717E6TA
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS NPN/PNP 15V/12V SOT23-6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-23-6
Datenblatt
ZXTD6717E6.pdf
RoHS Status
vorrätig: 148780

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Anzahl

Spezifikation

ZXTD6717E6TA Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - ZXTD6717E6TA Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - ZXTD6717E6TA

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 15V, 12V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 245mV @ 20mA, 1.5A / 240mV @ 100mA, 1.25A  
Transistor-Typ NPN, PNP  
Supplier Device-Gehäuse SOT-26  
Serie -  
Leistung - max 1.1W  
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 180MHz, 220MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 250 @ 500mA, 2V / 200 @ 500mA, 2V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 10nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 1.5A, 1.25A  
Grundproduktnummer ZXTD6717  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated ZXTD6717E6TA.

Produkteigenschaften ZXTD6717E6TA ZXTDA1M832TA ZXTDBM832TA ZXTDC3M832TA
Artikelnummer ZXTD6717E6TA ZXTDA1M832TA ZXTDBM832TA ZXTDC3M832TA
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Serie - - - -
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 250 @ 500mA, 2V / 200 @ 500mA, 2V 200 @ 3A, 2V / 180 @ 2.5A, 2V 200 @ 2A, 2V 100 @ 2A, 2V / 60 @ 1.5A, 2V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor-Typ NPN, PNP NPN, PNP 2 NPN (Dual) NPN, PNP
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 245mV @ 20mA, 1.5A / 240mV @ 100mA, 1.25A 280mV @ 50mA, 4.5A / 300mV @ 150mA, 4A 270mV @ 125mA, 4.5A 320mV @ 200mA, 4A / 370mV @ 250mA, 2.5A
Frequenz - Übergang 180MHz, 220MHz 120MHz, 110MHz 140MHz 165MHz, 190MHz
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6 8-VDFN Exposed Pad 8-VDFN Exposed Pad 8-VDFN Exposed Pad
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Strom - Kollektor (Ic) (max) 1.5A, 1.25A 4.5A, 4A 4.5A 4A, 3A
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Supplier Device-Gehäuse SOT-26 8-MLP (3x2) 8-MLP (3x2) 8-MLP (3x2)
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 15V, 12V 15V, 12V 20V 50V, 40V
Leistung - max 1.1W 1W 1.7W 1W
Grundproduktnummer ZXTD6717 ZXTDA1M832 ZXTDBM832 -
Strom - Collector Cutoff (Max) 10nA 25nA 25nA 25nA

ZXTD6717E6TA Datenblatt PDF

Laden Sie ZXTD6717E6TA PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für ZXTD6717E6TA - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN Andere
Copper Bond Wire and Wafer Source 07/Nov/2013.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Date Code Mark Update 13/Jan/2015.pdf Mult Dev Layer Add 26/Nov/2019.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021.pdf
Datenblätter
ZXTD6717E6.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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32D-ZXTD6717E6TA

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