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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelZXTN04120HKTC
ZXTN04120HKTC Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

ZXTN04120HKTC - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
ZXTN04120HKTC
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-ZXTN04120HKTC
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS NPN DARL 120V 1.5A TO252-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
ZXTN04120HKTC.pdf
RoHS Status
vorrätig: 165550

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Anzahl

Spezifikation

ZXTN04120HKTC Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - ZXTN04120HKTC Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - ZXTN04120HKTC

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 120 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 1mA, 1A  
Transistor-Typ NPN - Darlington  
Supplier Device-Gehäuse TO-252-3  
Serie -  
Leistung - max 1.5 W  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 150MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 2000 @ 1A, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 1.5 A  
Grundproduktnummer ZXTN04120  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated ZXTN04120HKTC.

Produkteigenschaften ZXTN04120HKTC ZXTN10150DZTA ZXTN04120HFFTA ZXTN19020DGTA
Artikelnummer ZXTN04120HKTC ZXTN10150DZTA ZXTN04120HFFTA ZXTN19020DGTA
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie - - - -
Frequenz - Übergang 150MHz 135MHz 120MHz 160MHz
Leistung - max 1.5 W 1.5 W 1.5 W 3 W
Grundproduktnummer ZXTN04120 ZXTN10150 ZXTN04120 ZXTN19020
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO) 500nA (ICBO) 10µA 50nA (ICBO)
Supplier Device-Gehäuse TO-252-3 SOT-89-3 SOT-23F SOT-223-3
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 120 V 150 V 120 V 20 V
Strom - Kollektor (Ic) (max) 1.5 A 1 A 1 A 9 A
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 1mA, 1A - 1.5V @ 5mA, 2A 250mV @ 450mA, 9A
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-243AA SOT-23-3 Flat Leads TO-261-4, TO-261AA
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 2000 @ 1A, 5V 100 @ 150mA, 250mV 3000 @ 1A, 5V 300 @ 100mA, 2V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor-Typ NPN - Darlington NPN NPN - Darlington NPN

ZXTN04120HKTC Datenblatt PDF

Laden Sie ZXTN04120HKTC PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für ZXTN04120HKTC - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Devices Rev 21/Apr/2017.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Die Passivation 13/Jun/2023.pdf
Datenblätter
ZXTN04120HKTC.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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