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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelZXTN618MATA
ZXTN618MATA Image
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ZXTN618MATA - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
ZXTN618MATA
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-ZXTN618MATA
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS NPN 20V 4.5A DFN2020B-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
3-UDFN
Datenblatt
ZXTN618MA.pdf
RoHS Status
vorrätig: 186860

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Anzahl

Spezifikation

ZXTN618MATA Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - ZXTN618MATA Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - ZXTN618MATA

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 20 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 270mV @ 125mA, 4.5A  
Transistor-Typ NPN  
Supplier Device-Gehäuse DFN2020B-3  
Serie -  
Leistung - max 1.5 W  
Verpackung / Gehäuse 3-UDFN  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 140MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 200 @ 2A, 2V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 25nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 4.5 A  
Grundproduktnummer ZXTN618  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated ZXTN618MATA.

Produkteigenschaften ZXTN618MATA ZXTN4006ZTA ZXTN4240F-7 ZXTN5551FLTA
Artikelnummer ZXTN618MATA ZXTN4006ZTA ZXTN4240F-7 ZXTN5551FLTA
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Frequenz - Übergang 140MHz - 100MHz 130MHz
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 20 V 200 V 40 V 160 V
Verpackung / Gehäuse 3-UDFN TO-243AA TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Grundproduktnummer ZXTN618 ZXTN4006 ZXTN4240 ZXTN5551
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 200 @ 2A, 2V 100 @ 150mA, 320mV 300 @ 1A, 2V 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device-Gehäuse DFN2020B-3 SOT-89-3 SOT-23-3 SOT-23-3
Strom - Kollektor (Ic) (max) 4.5 A 1 A 2 A 600 mA
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 270mV @ 125mA, 4.5A - 320mV @ 200mA, 2A 200mV @ 5mA, 50mA
Transistor-Typ NPN NPN NPN NPN
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Leistung - max 1.5 W 1.5 W 730 mW 330 mW
Serie - - Automotive, AEC-Q101 -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Strom - Collector Cutoff (Max) 25nA 50nA (ICBO) 100nA (ICBO) 50nA (ICBO)

ZXTN618MATA Datenblatt PDF

Laden Sie ZXTN618MATA PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für ZXTN618MATA - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Wafer Source 21/Apr/2017.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev Layer Add 26/Nov/2019.pdf
Datenblätter
ZXTN618MA.pdf

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Lieferzeit

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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  1. Telefon
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Diodes Incorporated
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