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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelZXTP2008ZTA
Diodes Incorporated
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

ZXTP2008ZTA - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
ZXTP2008ZTA
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-ZXTP2008ZTA
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PNP 30V 5.5A SOT89-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-243AA
Datenblatt
ZXTP2008ZTA.pdf
RoHS Status
vorrätig: 91940

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Anzahl

Spezifikation

ZXTP2008ZTA Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - ZXTP2008ZTA Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - ZXTP2008ZTA

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 30 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 175mV @ 500mA, 5.5A  
Transistor-Typ PNP  
Supplier Device-Gehäuse SOT-89-3  
Serie -  
Leistung - max 2.1 W  
Verpackung / Gehäuse TO-243AA  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 110MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 1A, 1V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 20nA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 5.5 A  
Grundproduktnummer ZXTP2008  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated ZXTP2008ZTA.

Produkteigenschaften ZXTP2008ZTA ZXTP2008GTA ZXTP2009ZTA ZXTP19100CZQTA
Artikelnummer ZXTP2008ZTA ZXTP2008GTA ZXTP2009ZTA ZXTP19100CZQTA
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Strom - Collector Cutoff (Max) 20nA (ICBO) 20nA (ICBO) 20nA 50nA (ICBO)
Frequenz - Übergang 110MHz 110MHz 152MHz 142MHz
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Transistor-Typ PNP PNP PNP PNP
Verpackung / Gehäuse TO-243AA TO-261-4, TO-261AA TO-243AA TO-243AA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 30 V 30 V 40 V 100 V
Serie - - - Automotive, AEC-Q101
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 1A, 1V 100 @ 1A, 1V 200 @ 500mA, 2V 200 @ 100mA, 2V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Strom - Kollektor (Ic) (max) 5.5 A 5.5 A 5.5 A 2 A
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 175mV @ 500mA, 5.5A 210mV @ 500mA, 5.5A 185mV @ 550mA, 5.5A 295mV @ 200mA, 2A
Leistung - max 2.1 W 3 W 2.1 W 1.1 W
Grundproduktnummer ZXTP2008 ZXTP2008 ZXTP2009 -
Supplier Device-Gehäuse SOT-89-3 SOT-223-3 SOT-89-3 SOT-89-3

ZXTP2008ZTA Datenblatt PDF

Laden Sie ZXTP2008ZTA PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für ZXTP2008ZTA - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Mult Devices 28/Feb/2018.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev 21/Oct/2019.pdf
PCN Andere
Copper Bond Wire and Wafer Source 07/Nov/2013.pdf
Datenblätter
ZXTP2008ZTA.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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