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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelZXTP2014ZTA
Diodes Incorporated
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

ZXTP2014ZTA - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
ZXTP2014ZTA
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-ZXTP2014ZTA
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PNP 140V 3A SOT89-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-243AA
Datenblatt
ZXTP2014ZTA.pdf
RoHS Status
vorrätig: 77110

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Anzahl

Spezifikation

ZXTP2014ZTA Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - ZXTP2014ZTA Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - ZXTP2014ZTA

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 140 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 330mV @ 300mA, 3A  
Transistor-Typ PNP  
Supplier Device-Gehäuse SOT-89-3  
Serie -  
Leistung - max 2.1 W  
Verpackung / Gehäuse TO-243AA  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 120MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 1A, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 20nA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 3 A  
Grundproduktnummer ZXTP2014  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated ZXTP2014ZTA.

Produkteigenschaften ZXTP2014ZTA ZXTP2039FTA ZXTP2014GTA ZXTP2013ZTA
Artikelnummer ZXTP2014ZTA ZXTP2039FTA ZXTP2014GTA ZXTP2013ZTA
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Leistung - max 2.1 W 350 mW 3 W 2.1 W
Supplier Device-Gehäuse SOT-89-3 SOT-23-3 SOT-223-3 SOT-89-3
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Grundproduktnummer ZXTP2014 ZXTP2039 ZXTP2014 ZXTP2013
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 1A, 5V 100 @ 500mA, 5V 100 @ 1A, 5V 100 @ 1A, 1V
Frequenz - Übergang 120MHz 150MHz 120MHz 125MHz
Transistor-Typ PNP PNP PNP PNP
Strom - Collector Cutoff (Max) 20nA (ICBO) 100nA 20nA (ICBO) 20nA (ICBO)
Serie - - - -
Strom - Kollektor (Ic) (max) 3 A 1 A 4 A 3.5 A
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 140 V 60 V 140 V 100 V
Verpackung / Gehäuse TO-243AA TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-261-4, TO-261AA TO-243AA
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 330mV @ 300mA, 3A 600mV @ 100mA, 1A 360mV @ 300mA, 3A 300mV @ 400mA, 4A

ZXTP2014ZTA Datenblatt PDF

Laden Sie ZXTP2014ZTA PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für ZXTP2014ZTA - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Mult Devices 28/Feb/2018.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev 21/Oct/2019.pdf
PCN Andere
Copper Bond Wire and Wafer Source 07/Nov/2013.pdf
Datenblätter
ZXTP2014ZTA.pdf

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Lieferzeit

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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