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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-Einzel2N2222A
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2N2222A - Diotec Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
2N2222A
Hersteller
Diotec Semiconductor
Allelco Artikelnummer
32D-2N2222A
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
BJT TO-92 40V 600MA
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Datenblatt
2N2222A Datasheet.pdf
RoHS Status
vorrätig: 1377300

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Anzahl

Spezifikation

2N2222A Tech -Spezifikationen
Diotec Semiconductor - 2N2222A Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diotec Semiconductor - 2N2222A

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diotec Semiconductor  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 40 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1V @ 50mA, 500mA  
Transistor-Typ NPN  
Supplier Device-Gehäuse TO-92  
Serie -  
Leistung - max 625 mW  
Verpackung / Gehäuse TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Frequenz - Übergang 250MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 150mA, 10V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 10nA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 600 mA  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diotec Semiconductor 2N2222A.

Produkteigenschaften 2N2222A 2N2222A 2N2222A 2N2219A
Artikelnummer 2N2222A 2N2222A 2N2222A 2N2219A
Hersteller Diotec Semiconductor Microchip Technology Good-Ark Semiconductor Microchip Technology
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 40 V 50 V 40 V 50 V
Transistor-Typ NPN NPN NPN NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max) 600 mA 800 mA 800 mA 800 mA
Verpackung / Gehäuse TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TO-206AA, TO-18-3 Metal Can TO-206AA, TO-18-3 Metal Can TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 200°C (TJ) 175°C (TJ) -55°C ~ 200°C (TJ)
Strom - Collector Cutoff (Max) 10nA (ICBO) 50nA 10nA 10nA
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Bulk
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 150mA, 10V 100 @ 150mA, 10V 100 @ 150mA, 10V 100 @ 150mA, 10V
Frequenz - Übergang 250MHz - 300MHz -
Serie - - - -
Leistung - max 625 mW 500 mW 500 mW 800 mW
Supplier Device-Gehäuse TO-92 TO-18 TO-18 TO-39 (TO-205AD)
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1V @ 50mA, 500mA 1V @ 50mA, 500mA 1V @ 50mA, 500mA 1V @ 50mA, 500mA

2N2222A Datenblatt PDF

Laden Sie 2N2222A PDF -Datenblätter und Diotec Semiconductor -Dokumentation für 2N2222A - Diotec Semiconductor herunter.

Datenblätter
2N2222A Datasheet.pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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32D-2N2222A

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