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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-Einzel2N5401
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2N5401 - Diotec Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
2N5401
Hersteller
Diotec Semiconductor
Allelco Artikelnummer
32D-2N5401
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
BJT TO-92 150V 600MA
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Datenblatt
2N540x Datasheet.pdf
RoHS Status
vorrätig: 990100

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Anzahl

Spezifikation

2N5401 Tech -Spezifikationen
Diotec Semiconductor - 2N5401 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diotec Semiconductor - 2N5401

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diotec Semiconductor  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 150 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 5mA, 50mA  
Transistor-Typ PNP  
Supplier Device-Gehäuse TO-92  
Serie -  
Leistung - max 625 mW  
Verpackung / Gehäuse TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Frequenz - Übergang 400MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 60 @ 10mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 600 mA  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diotec Semiconductor 2N5401.

Produkteigenschaften 2N5401 2N5339 2N5344 2N5401G
Artikelnummer 2N5401 2N5339 2N5344 2N5401G
Hersteller Diotec Semiconductor Microchip Technology Microchip Technology onsemi
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 200°C - -55°C ~ 150°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TO-205AD, TO-39-3 Metal Can - TO-226-3, TO-92-3 Long Body
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 60 @ 10mA, 5V 60 @ 2A, 2V - 60 @ 10mA, 5V
Serie - - * -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 150 V 100 V - 150 V
Supplier Device-Gehäuse TO-92 TO-39 - TO-92 (TO-226)
Frequenz - Übergang 400MHz - - 300MHz
Transistor-Typ PNP NPN - PNP
Befestigungsart Through Hole Through Hole - Through Hole
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Bulk
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO) 100µA - 50nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max) 600 mA 5 A - 600 mA
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 5mA, 50mA 1.2V @ 500mA, 5A - 500mV @ 5mA, 50mA
Leistung - max 625 mW 1 W - 625 mW

2N5401 Datenblatt PDF

Laden Sie 2N5401 PDF -Datenblätter und Diotec Semiconductor -Dokumentation für 2N5401 - Diotec Semiconductor herunter.

Datenblätter
2N540x Datasheet.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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2N5401

Diotec Semiconductor
32D-2N5401

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