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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelBC848B
BC848B Image
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BC848B - Diotec Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
BC848B
Hersteller
Diotec Semiconductor
Allelco Artikelnummer
32D-BC848B
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
BJT SOT-23 30V 100MA
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
BC8yyy Datasheet.pdf
RoHS Status
vorrätig: 2348100

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Anzahl

Spezifikation

BC848B Tech -Spezifikationen
Diotec Semiconductor - BC848B Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diotec Semiconductor - BC848B

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diotec Semiconductor  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 30 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 5mA, 100mA  
Transistor-Typ NPN  
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 (TO-236)  
Serie -  
Leistung - max 250 mW  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 300MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 200 @ 2mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 15nA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diotec Semiconductor BC848B.

Produkteigenschaften BC848B BC848AMTF BC848B-7-F BC848B
Artikelnummer BC848B BC848AMTF BC848B-7-F BC848B
Hersteller Diotec Semiconductor onsemi Diodes Incorporated Yangjie Technology
Frequenz - Übergang 300MHz 300MHz 300MHz 100MHz
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Leistung - max 250 mW 310 mW 300 mW 225 mW
Serie - - - -
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 200 @ 2mA, 5V 110 @ 2mA, 5V 200 @ 2mA, 5V 200 @ 2mA, 5V
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 30 V 30 V 30 V 30 V
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA 100 mA 100 mA 100 mA
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ NPN NPN NPN NPN
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Strom - Collector Cutoff (Max) 15nA (ICBO) 15nA (ICBO) 15nA 100nA
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 5mA, 100mA 600mV @ 5mA, 100mA 600mV @ 5mA, 100mA 500mV @ 5mA, 100mA

BC848B Datenblatt PDF

Laden Sie BC848B PDF -Datenblätter und Diotec Semiconductor -Dokumentation für BC848B - Diotec Semiconductor herunter.

Datenblätter
BC8yyy Datasheet.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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