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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelMMFTN123
MMFTN123 Image
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MMFTN123 - Diotec Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
MMFTN123
Hersteller
Diotec Semiconductor
Allelco Artikelnummer
32D-MMFTN123
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET, SOT-23, 100V, 0.17A, N,
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
MMFTN123 Datasheet.pdf
RoHS Status
vorrätig: 298700

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Spezifikation

MMFTN123 Tech -Spezifikationen
Diotec Semiconductor - MMFTN123 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diotec Semiconductor - MMFTN123

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diotec Semiconductor  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 (TO-236)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6Ohm @ 170mA, 10V  
Verlustleistung (max) 360mW  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Strip  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 73 pF @ 25 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 170mA (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diotec Semiconductor MMFTN123.

Produkteigenschaften MMFTN123 MMFTP84 MMFTN170 MMFTN20
Artikelnummer MMFTN123 MMFTP84 MMFTN170 MMFTN20
Hersteller Diotec Semiconductor Diotec Semiconductor Diotec Semiconductor Diotec Semiconductor
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 60 V 60 V 50 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Paket Strip Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 73 pF @ 25 V 45 pF @ 25 V 40 pF @ 10 V 15 pF @ 10 V
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3 (TO-236)
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA 2V @ 1mA 3V @ 1mA 1.8V @ 1mA
Typ FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie - - - -
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 170mA (Ta) 130mA (Ta) 500mA (Ta) 100mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 10V 10V 2.5V, 10V
Verlustleistung (max) 360mW 250mW (Ta) 300mW (Ta) 300mW (Ta)
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6Ohm @ 170mA, 10V 10Ohm @ 130mA, 10V 5Ohm @ 200mA, 10V 15Ohm @ 100mA, 10V

MMFTN123 Datenblatt PDF

Laden Sie MMFTN123 PDF -Datenblätter und Diotec Semiconductor -Dokumentation für MMFTN123 - Diotec Semiconductor herunter.

Datenblätter
MMFTN123 Datasheet.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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