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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelBD17910STU
Fairchild Semiconductor
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BD17910STU - Fairchild Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
BD17910STU
Hersteller
Fairchild (onsemi)
Allelco Artikelnummer
32D-BD17910STU
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS NPN 80V 3A TO126-3
Verpackung
TO-225AA, TO-126-3
Datenblatt
Datasheet.pdf
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 58180

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Spezifikation

BD17910STU Tech -Spezifikationen
Fairchild Semiconductor - BD17910STU Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Fairchild Semiconductor - BD17910STU

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Fairchild (onsemi)  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 80 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 800mV @ 100mA, 1A  
Transistor-Typ NPN  
Supplier Device-Gehäuse TO-126-3  
Serie -  
Leistung - max 30 W  
Verpackung / Gehäuse TO-225AA, TO-126-3  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Bulk  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Frequenz - Übergang 3MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 63 @ 150mA, 2V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 100µA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 3 A  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) Vendor Undefined
Status erreichen REACH Affected
ECCN
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Fairchild Semiconductor BD17910STU.

Produkteigenschaften BD17910STU BD179G BD17610STU BD17610STU
Artikelnummer BD17910STU BD179G BD17610STU BD17610STU
Hersteller Fairchild Semiconductor onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Frequenz - Übergang 3MHz 3MHz 3MHz 3MHz
Leistung - max 30 W 30 W 30 W 30 W
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 800mV @ 100mA, 1A 800mV @ 100mA, 1A 800mV @ 100mA, 1A 800mV @ 100mA, 1A
Serie - - - -
Verpackung / Gehäuse TO-225AA, TO-126-3 TO-225AA, TO-126-3 TO-225AA, TO-126-3 TO-225AA, TO-126-3
Strom - Kollektor (Ic) (max) 3 A 3 A 3 A 3 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 80 V 80 V 45 V 45 V
Strom - Collector Cutoff (Max) 100µA (ICBO) 100µA (ICBO) 100µA (ICBO) 100µA (ICBO)
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 63 @ 150mA, 2V 63 @ 150mA, 2V 63 @ 150mA, 2V 63 @ 150mA, 2V
Betriebstemperatur 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse TO-126-3 TO-126 TO-126-3 TO-126-3
Paket Bulk Bulk Bulk Bulk
Transistor-Typ NPN NPN PNP PNP

BD17910STU Datenblatt PDF

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Datenblätter
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Versandkosten

  1. Verwenden Sie Ihr Expresskonto für den Versand, wenn Sie einen haben.
  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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